浙江專業(yè)BOE蝕刻液私人定做

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    本發(fā)明涉及一種提高氮化硅蝕刻均勻性的酸性蝕刻液，通過在磷酸中添加醇醚類和表面活性劑，來改善磷酸的浸潤性和表面張力，使之均勻蝕刻氮化硅。背景技術：氮化硅是一種具有很高的化學穩(wěn)定性的絕緣材料，氫氟酸和熱磷酸能對氮化硅進行緩慢地腐蝕。在半導體制造工藝中，一般是采用熱磷酸對氮化硅進行蝕刻，一直到了90nm的制程也是采用熱磷酸來蝕刻氮化硅。但隨著半導體制程的飛速發(fā)展，器件的特征尺寸越來越小，集成度越來越高，對制造工藝中的各工藝節(jié)點要求也越來越高，如蝕刻工藝中對蝕刻后晶圓表面的均勻性、蝕刻殘留、下層薄膜的選擇性等都有要求。在使用熱磷酸對氮化硅進行蝕刻時，晶圓表面會出現(xiàn)不均勻的現(xiàn)象，體現(xiàn)于在蝕刻前后進行相同位置取點的厚度測量時，檢測點之間蝕刻前后的厚度差值存在明顯差異。為了解決氮化硅蝕刻不均勻的問題，通過在磷酸中添加醇醚類和表面活性劑可以實現(xiàn)氮化硅層的均勻蝕刻。技術實現(xiàn)要素：本發(fā)明所要解決的技術問題是提供一種能均勻蝕刻氮化硅層的蝕刻液。本發(fā)明涉及一種提高氮化硅蝕刻均勻性的酸性蝕刻液，所述蝕刻液的組成包括：占蝕刻液總重量≥88％的磷酸、％的醇醚類、％的表面活性劑。進一步地，本發(fā)明涉及上述蝕刻液。

    形成氣液混合體，從擴散管22排出又進入到再生液調配缸3。電解再生某線路板生產線蝕刻廢液，蝕刻廢液量1000m3/d，相比沒有使用本實用新型所提供的酸性蝕刻液電解后液處理系統(tǒng)，能耗節(jié)約40％，節(jié)約使用藥品100kg/d，經濟效益提高30％。作為本實施例的一個示例，電解槽1的陽極可選用石墨電極，陰極可選用鈦或鈦合金板狀電極，電解槽1中陰極與陽極之間的距離為55mm，電解槽1的電流密度為300a/m2。與實施例相結合，圖2示出了本實用新型第二實施例提供的酸性蝕刻液電解后液處理系統(tǒng)的結構，在實施例的基礎上，第二實施例進一步包括曝氣裝置5，曝氣裝置5通過管道深入到再生液調配缸3的液體中，用于向再生液調配缸3中的電解后液輸送氣體以進行攪拌，以提高整個系統(tǒng)的工作效率。進一步地，與上述、第二實施例相結合，酸性蝕刻液電解后液處理系統(tǒng)還可以包括一后續(xù)處理系統(tǒng)，用于向經過再生液調配缸3處理過的電解后液中加入氯化鈉、鹽酸并攪拌均勻，然后再打入到子液桶，實現(xiàn)再生液循環(huán)利用。以上所述為本實用新型的較佳實施例而已，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內所作的任何修改、等同替換和改進等，均應包含在本實用新型的保護范圍之內。BOE蝕刻液生產廠家就找蘇州博洋化學股份。

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