參考圖7)，這種殘余物在覆蓋一系列柵極堆棧薄膜之后會被增強呈現，傳遞到柵極成型工序時會對柵極圖形產生嚴重的影響，即在柵極曝光圖形成型之后形成埋層缺陷，在柵極刻蝕圖形成型之后造成柵極斷開或橋接，直接降低了產品良率。另外，在氧氣灰化階段，由于等離子氧可以穿...

高世代面板)表面上，或透入其表面，而把固體物料潤濕，剝離液親水性良好，能快速高效地剝離溶解光刻膠。因此，本申請中的高世代面板銅制程光刻膠剝離液由酰胺、醇醚、環胺與鏈胺、緩蝕劑、潤濕劑組成。其中，酰胺可以為n-甲基甲酰胺、n-甲基乙酰胺、n，n-二甲基甲...

本發明涉及化學制劑技術領域：，特別涉及一種用于疊層晶圓的光刻膠剝離液。背景技術：：隨著半導體制造技術以及立體封裝技術的不斷發展，電子器件和電子產品對多功能化和微型化的要求越來越高。在這種小型化趨勢的推動下，要求芯片的封裝尺寸不斷減小。3d疊層粉妝技術的封裝體積...

本發明涉及化學制劑技術領域：，特別涉及一種用于疊層晶圓的光刻膠剝離液。背景技術：：隨著半導體制造技術以及立體封裝技術的不斷發展，電子器件和電子產品對多功能化和微型化的要求越來越高。在這種小型化趨勢的推動下，要求芯片的封裝尺寸不斷減小。3d疊層粉妝技術的封裝體積...

每一所述第二子管道502與所述公共子管道501連通，所述公共子管道501與所述下一級腔室102連通。其中，閥門開關60設置在每一子管道301上。在一些實施例中，閥門開關60設置在每一***子管道401及每一所述第二子管道502上。在一些實施例中，閥...

剝離液是一種通用濕電子化學品，主要用于去除金屬電鍍或者蝕刻加工完成后的光刻膠和殘留物質，同時防止對襯底層造成破壞。剝離液是集成電路、分立器件、顯示面板、太陽能電池等生產濕法工藝制造的關鍵性電子化工材料，下游應用領域，但整體應用需求較低，因此市場規模偏小。剝離液...

本發明提供的光刻膠剝離去除方法第二實施例，用于半導體制造工藝中，可應用于包括但不限于mos、finfet等所有現有技術中涉及光刻膠剝離去除的生產步驟，主要包括以下步驟:s1，在半導體襯底上淀積一層二氧化硅薄膜作為介質層；s2，旋涂光刻膠并曝光顯影，形成...

常在印刷電路板，液晶顯示面板，半導體集成電路等工藝制造過程中，需要通過多次圖形掩膜照射曝光及蝕刻等工序在硅晶圓或玻璃基片上形成多層精密的微電路，形成微電路之后，進一步用剝離液將涂覆在微電路保護區域上作為掩膜的光刻膠除去。比如光電TFT-LCD生產工...

技術領域：本發明涉及一種選擇性剝離光刻膠制備微納結構的方法，可用于微納制造，光學領域，電學，生物領域，mems領域，nems領域。技術背景：微納制造技術是衡量一個國家制造水平的重要標志，對提高人們的生活水平，促進產業發展與經濟增長，保障**安全等方...

使用當前級腔室相應的過濾器過濾來自當前級腔室的剝離液并將過濾后的剝離液傳輸至下一級腔室；若所述過濾器被所述薄膜碎屑阻塞，則關閉連接被阻塞的所述過濾器的管道上的閥門開關；取出被阻塞的所述過濾器。在一些實施例中，所述若所述過濾器被所述薄膜碎屑阻塞，則關...

所述過濾器包括多個并列排布的子過濾器，所述道包括多個子管道，每一所述子管道與一子過濾器連通，且所述多個子管道與當前級腔室對應的存儲箱連通。在一些實施例中，所述第二管道包括公共子管道及多個第二子管道，每一所述第二子管道與一子過濾器連通，每一所述第二子管道...

可選擇的，旋涂光刻膠厚度范圍為1000埃～10000埃。s3，執行離子注入：可選擇的，離子注入劑量范圍為1×1013cm-2～1×1016cm-2。s4，采用氮氫混合氣體執行等離子刻蝕，對光刻膠進行干法剝離；如背景技術中所述，經過高劑量或大分子量的源種...

IC去除剝離液MSDS1.產品屬性產品形式：混合溶液產品名稱：ANS-908產品功能描述：用于COG重工，使IC與玻璃無損傷分離2.組成成份化學名稱CASNo含量%(v)1-METHYL-2-PYRROLIDINONE872-50-445~90N,N-...

需要說明的是，本發明剝離液中，推薦*由上述成分構成，但只要不阻礙本發明的效果，可以含有例如聚氧化烯烷基醚系、硅系的消泡劑等其它成分。以上說明的本發明剝離液可以通過將上述成分溶于水中來制備。需要說明的是，本發明剝離液的ph若為堿性則沒有特別限定，但通常**將上述...

剝離液是一種通用濕電子化學品，主要用于去除金屬電鍍或者蝕刻加工完成后的光刻膠和殘留物質，同時防止對襯底層造成破壞。剝離液是集成電路、分立器件、顯示面板、太陽能電池等生產濕法工藝制造的關鍵性電子化工材料，下游應用領域，但整體應用需求較低，因此市場規模偏小。剝離液...

光刻膠殘留大，殘留分布不均勻，并且產生邊緣聚集殘留。為了能夠進一步地表示配方一和配方二之間的光刻膠殘留量對比，圖2中將多張單張檢測圖進行疊加，可以更加清楚地看出兩者之間的區別，能夠明顯地看出使用配方一的剝離液，高世代面板邊緣光刻膠殘留量大。下面列舉更多...

能夠增強親水性，使得剝離液親水性良好，能快速高效地剝離溶解光刻膠。潤濕劑含有羥基，為聚乙二醇、甘油中的任意一種。下面通過具體實施例對本申請作進一步詳細說明。以下實施例對本申請進行進一步說明，不應理解為對本申請的限制。表一：兩種不同組分的剝離液配方一和配...

以往的光刻膠剝離液對金屬的腐蝕較大，可能進入疊層內部造成線路減薄，藥液殘留，影響產品的質量。因此有必要開發一種不會對疊層晶圓產生過腐蝕的光刻膠剝離液。技術實現要素：本發明的主要目的在于提供一種用于疊層晶圓的光刻膠剝離液，既具有較高的光刻膠剝離效率，又不會對晶圓...

本發明涉及能夠從施加有抗蝕劑的基材剝離抗蝕劑的抗蝕劑的剝離液。背景技術：：印刷布線板的制造、主要是半加成法中使用的干膜抗蝕劑等抗蝕劑的剝離液中，伴隨微細布線化而使用胺系的剝離液。然而，以往的胺系的抗蝕劑的剝離液有廢液處理性難、海外的法規制度的問題，而避免其使用...

能夠增強親水性，使得剝離液親水性良好，能快速高效地剝離溶解光刻膠。潤濕劑含有羥基，為聚乙二醇、甘油中的任意一種。下面通過具體實施例對本申請作進一步詳細說明。以下實施例對本申請進行進一步說明，不應理解為對本申請的限制。表一：兩種不同組分的剝離液配方一和配...

所述卷邊輥與所述膠面收卷輥通過皮帶連接，所述收卷驅動電機與所述膠面收卷輥通過導線連接。進一步的，所述電加熱箱與所述干燥度感應器通過導線連接，所述電氣控制箱與所述液晶操作面板通過導線連接。進一步的，所述主支撐架由合金鋼壓制而成，厚度為5mm。進一步的，所述干燥度...

能夠增強親水性，使得剝離液親水性良好，能快速高效地剝離溶解光刻膠。潤濕劑含有羥基，為聚乙二醇、甘油中的任意一種。下面通過具體實施例對本申請作進一步詳細說明。以下實施例對本申請進行進一步說明，不應理解為對本申請的限制。表一：兩種不同組分的剝離液配方一和配...

但現有的回收裝置普遍存在如下問題：剝離廢液利用水洗裝置水洗過濾出光刻膠樹脂成分，回收率低。為了解決這一問題，現有技術通常再向剝離廢液中加入沉淀劑繼續反應，而后沉淀過濾出光刻膠樹脂成分，但所得到的光刻膠樹脂成分品質不宜再用于光刻膠原料，只能用于其他要求較...

從而可以在閥門開關60關閉后取下被阻塞的過濾器30進行清理并不會導致之后的下一級腔室102的剝離進程無法繼續。其中，腔室10用于按照處于剝離制程的玻璃基板的傳送方向逐級向玻璃基板分別提供剝離液；與多個腔室10分別對應連接的多個存儲箱20，各級腔室10分...

砷化鎵也有容易被腐蝕的特點，比如堿性的氨水、酸性的鹽酸、硫酸、硝酸等。去膠，也成為光刻膠的剝離。即完成光刻鍍膜等處理之后，需要去除光刻膠之后進行下一步。有時直接采用+異丙醇的方式就可以去除。但是對于等離子體處理過的光刻膠，一般就比較難去除干凈。有的人把加...

光刻作為IC制造的關鍵一環常常被人重視，但是光刻膠都是作為層被去掉的，如何快速、干凈的去除工藝后的光刻膠是一個經常被疏忽的問題，但是很重要，直接影響了產品質量。如何快速有效的去除光刻膠。筆者**近就碰到一些去膠的問題，比如正膠和負膠去除需要的工藝有...

常在印刷電路板，液晶顯示面板，半導體集成電路等工藝制造過程中，需要通過多次圖形掩膜照射曝光及蝕刻等工序在硅晶圓或玻璃基片上形成多層精密的微電路，形成微電路之后，進一步用剝離液將涂覆在微電路保護區域上作為掩膜的光刻膠除去。比如光電TFT-LCD生產工...

本發明下述示例性實施例可以多種不同的形式來實施，并且不應當被解釋為只限于這里所闡述的具體實施例。應當理解的是，提供這些實施例是為了使得本發明的公開徹底且完整，并且將這些示例性具體實施例的技術方案充分傳達給本領域技術人員。如圖1所示，本發明提供的光刻膠剝...

本實用新型涉及資源回收再利用領域，特別是涉及含銅蝕刻液氣液分離裝置。背景技術：線路板生產工業中，會對已經使用于蝕刻線路板的含銅蝕刻廢液進行回收利用，在回收過程中，廢液在加熱器中通過蒸汽進行換熱，換熱完的廢液在高溫狀態下進入分離器，會在分離器中發生閃蒸，...

當前級別腔室101對應的過濾器30被薄膜碎屑阻塞后，通過閥門開關60關閉當前級別腔室101對應的存儲箱20與過濾器30之間的液體流通，從而可以在閥門開關60關閉后取下被阻塞的過濾器30進行清理并不會導致之后的下一級腔室102的剝離進程無法繼續。其中...