從名字表面的角度來看MOSFET的命名，事實上會讓人得到錯誤的印象。因為MOSFET里表示“metal”的第1個字母M在當下大部分同類的元件里是不存在的。早期MOSFET的柵極（gate electrode）使用金屬作為其材料，但隨著半導體技術的進步，隨后MOSFET柵極使用多晶硅取代了金屬。MOSFET在概念上屬于“絕緣柵極場效晶體管”（Insulated-Gate Field Effect Transistor,IGFET），而IGFET的柵極絕緣層有可能是其他物質而非MOSFET使用的氧化層。有些人在提到擁有多晶硅柵極的場效晶體管元件時比較喜歡用IGFET，但是這些IGFET多半指的是MOSFET。MOSFET在導通時的通道電阻低，而截止時的電阻近乎無限大，所以適合作為模擬信號的開關。北京功率MOSFET
由于MOSFET是對稱的，所以源極或漏極可以互換。因此，源極端子和基板端子在內部連接，所以MOSFET具有三個端子，而且它們處于相同的電位，這就阻止了任何電流從襯底流向源極。在MOSFET中，我們希望電流從漏極流到源極，因此，我們必須在漏極和源極之間連接一個電池，該電壓稱為Vds，因為它介于漏極和源極之間。電池的正極增加了漏極端子處的電勢，從而增加了漏極和基板之間的耗盡區，因此不會有電流從漏極流到源極，這時候MOSFET處于截止狀態，這也稱為截止區域。現在，要使電流從漏極流到源極，必須在它們之間建立一個通道。為了創建通道，我們又在柵極和襯底之間連接了一個小電壓源。電池正端與柵極相連，該電壓稱為Vgs，因為它介于柵極和源極之間，襯底是p型半導體，因此，電荷載流子是空穴，但是存在一些自由電子作為少數電荷載流子。電池在基板內部產生電場，由于該場襯底中的電子與電場相反地流動，即流向柵極，由于存在絕緣體，這些電子無法從基板流向柵極，因此它們聚集在襯底中的柵極附近。MOSFET中的絕緣體或電介質不單會阻擋電子，還會增加電子上的電荷，從而吸引更多的電子。蘇州MOSFET銷售公司MOSFET的注意事項有哪些？
當MOSFET的尺寸縮的非常小、柵極氧化層也變得非常薄時，例如編輯此文時 制程可以把氧化層縮到一納米左右的厚度，一種過去沒有發現的現象也隨之產生，這種現象稱為“多晶硅耗盡”。當MOSFET的反轉層形成時，有多晶硅耗盡現象的MOSFET柵極多晶硅靠近氧化層處，會出現一個耗盡層（depletion layer），影響MOSFET導通的特性。要解決這種問題，金屬柵極是 的方案。可行的材料包括鉭（Tantalum）、鎢、氮化鉭（Tantalum Nitride），或是氮化鈦（Titalium Nitride）。這些金屬柵極通常和高介電常數物質形成的氧化層一起構成MOS電容。另外一種解決方案是將多晶硅完全的合金化，稱為FUSI（FUlly-SIlicide polysilicon gate）制程。
在絕緣層和柵極界面上感應出正電荷，而在絕緣層和P型襯底界面上感應出負電荷。這層感應的負電荷和P型襯底中的多數載流子（空穴）的極性相反，所以稱為“反型層”，這反型層有可能將漏與源的兩N型區連接起來形成導電溝道。當VGS電壓太低時，感應出來的負電荷較少，它將被P型襯底中的空穴中和，因此在這種情況時，漏源之間仍然無電流ID。當VGS增加到一定值時，其感應的負電荷把兩個分離的N區溝通形成N溝道，這個臨界電壓稱為開啟電壓（或稱閾值電壓、門限電壓），用符號VT表示（一般規定在ID=10uA時的VGS作為VT）。當VGS繼續增大，負電荷增加，導電溝道擴大，電阻降低，ID也隨之增加，并且呈較好線性關系，如圖3所示。此曲線稱為轉換特性。因此在一定范圍內可以認為，改變VGS來控制漏源之間的電阻，達到控制ID的作用。由于這種結構在VGS=0時，ID=0，稱這種MOSFET為增強型。另一類MOSFET，在VGS=0時也有一定的ID（稱為IDSS），這種MOSFET稱為耗盡型。它的結構如圖4所示，它的轉移特性如圖5所示。VP為夾斷電壓（ID=0）。Power MOSFET全稱功率場效應晶體管。
過去數十年來，MOSFET的尺寸不斷地變小。早期的集成電路MOSFET制程里，通道長度約在幾個微米（micrometer）的等級。但是到了 的集成電路制程，這個參數已經縮小了幾十倍甚至超過一百倍。2006年初，Intel開始以65納米（nanometer）的技術來制造新一代的微處理器，實際的元件通道長度可能比這個數字還小一些。至90年代末，MOSFET尺寸不斷縮小，讓集成電路的效能 提升，而從歷史的角度來看，這些技術上的突破和半導體制程的進步有著密不可分的關系。MOSFET是一種可以普遍使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管。江蘇MOSFET多少錢
MOSFET應用優勢：有些場效應管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負，靈活性比雙極晶體管好。北京功率MOSFET
功率MOSFET的設計過程中采取措施使其中的寄生晶體管盡量不起作用。在不同代功率MOSFET中其措施各有不同，但總的原則是使漏極下的橫向電阻RB盡量小。因為只有在漏極N區下的橫向電阻流過足夠電流為這個N區建立正偏的條件時，寄生的雙極性晶閘管 才開始發難。然而在嚴峻的動態條件下，因dv/dt通過相應電容引起的橫向電流有可能足夠大。此時這個寄生的雙極性晶體管就會起動，有可能給MOSFET帶來損壞。所以考慮瞬態性能時對功率MOSFET器件內部的各個電容（它是dv/dt的通道）都必須予以注意。瞬態情況是和線路情況密切相關的，這方面在應用中應給予足夠重視。對器件要有深入了解，才能有利于理解和分析相應的問題。北京功率MOSFET
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