濱州MTDC100晶閘管智能模塊組件

    檢測(cè)兩基極間電阻：兩表筆（不分正、負(fù)）接單結(jié)晶體管除發(fā)射極E以外的兩個(gè)管腳，讀數(shù)應(yīng)為3～10kΩ。[7]檢測(cè)PN結(jié)正向電阻（N基極管為例，下同）：黑表筆接發(fā)射極E，紅表筆分別接兩個(gè)基極，讀數(shù)均應(yīng)為數(shù)千歐。對(duì)調(diào)兩表筆后檢測(cè)PN結(jié)反向電阻，讀數(shù)均應(yīng)為無(wú)窮大。如果測(cè)量結(jié)果與上述不符，說(shuō)明被測(cè)單結(jié)管已損壞。[8]測(cè)量單結(jié)晶體管的分壓比η：按圖示搭接一個(gè)測(cè)量電路，用萬(wàn)用表“直流10V”擋測(cè)出C2上的電壓UC2，再按公式η=UC2/UB計(jì)算即可。[9]單結(jié)晶體管的基本應(yīng)用是組成脈沖產(chǎn)生電路，包括振蕩器、波形發(fā)生器等，并可使電路結(jié)構(gòu)大為簡(jiǎn)化。圖示為單結(jié)晶體管弛張振蕩器。單結(jié)管VT的發(fā)射極輸出鋸齒波，基極輸出窄脈沖，第二基極輸出方波。RE與C組成充放電回路，改變RE或C即可改變振蕩周期。該電路振蕩周期T≈RECln[1/（1-η）]，式中，ln為自然對(duì)數(shù)，即以e（）為底的對(duì)數(shù)。[10]單結(jié)晶體管還可以用作晶閘管觸發(fā)電路。圖示為調(diào)光臺(tái)燈電路。在交流電的每半周內(nèi)，晶閘管VS由單結(jié)管VT輸出的窄脈沖觸發(fā)導(dǎo)通，調(diào)節(jié)RP便改變了VT輸出窄脈沖的時(shí)間，即改變了VS的導(dǎo)通角，從而改變了流過(guò)燈泡EL的電流，實(shí)現(xiàn)了調(diào)光的目的。[11]晶體閘流管簡(jiǎn)稱為晶閘管，也叫做可控硅。正高電氣以誠(chéng)信為根本，以質(zhì)量服務(wù)求生存。濱州MTDC100晶閘管智能模塊組件

晶閘管智能模塊導(dǎo)通角與模塊輸出電流的關(guān)系

晶閘管模塊的導(dǎo)通角與模塊能輸出的較大電流有直接關(guān)系，模塊的標(biāo)稱電流是較大導(dǎo)通角時(shí)能輸出的較大電流。在小導(dǎo)通角（輸出電壓與輸入電壓比值很小）下輸出的電流峰值很大，但電流的有效值很小（直流儀表一般顯示平均值，交流儀表顯示非正弦電流時(shí)比實(shí)際值小），但是輸出電流的有效值很大，半導(dǎo)體器件的發(fā)熱與有效值的平方成正比，會(huì)使模塊嚴(yán)重發(fā)熱甚至燒毀。因此，模塊應(yīng)選擇在極較大導(dǎo)通角的65％以上工作，及控制電壓應(yīng)在5V以上。 濱州MTDC100晶閘管智能模塊組件正高電氣在客戶和行業(yè)中樹(shù)立了良好的企業(yè)形象。

晶閘管智能模塊的散熱要求

模塊散熱條件的好壞直接關(guān)系到產(chǎn)品的使用壽命和短時(shí)過(guò)載能力，溫度越低模塊的輸出電流越大，所以在使用中一定要配備散熱器和風(fēng)機(jī)，建議采用帶有過(guò)熱保護(hù)功能的產(chǎn)品，有水冷散熱條件的優(yōu)先選擇水冷散熱。我們經(jīng)過(guò)嚴(yán)格測(cè)算，確定了不同型號(hào)的產(chǎn)品所應(yīng)該配備的散熱器型號(hào)，推薦采用廠家配套的散熱器和風(fēng)機(jī)，用戶自備時(shí)按以下原則選取：

1、軸流風(fēng)機(jī)的風(fēng)速應(yīng)大于6m/s ；

2、一定要能保證模塊正常工作時(shí)散熱底板溫度不大于 80℃；

3、模塊負(fù)載較輕時(shí)，可減小散熱器的大小或采用自然冷卻；

4、采用自然方式冷卻時(shí)散熱器周圍的空氣能實(shí)現(xiàn)對(duì)流并適當(dāng)增大散熱器面積；

5、所有緊固模塊的螺釘一定要擰緊，壓線端子連接牢固，以減少次生熱量的產(chǎn)生，模塊底板和散熱器之間一定要要涂敷一層導(dǎo)熱硅脂或墊上一片底板大小的導(dǎo)熱墊，以達(dá)到良好散熱效果。

    電壓很容易對(duì)晶閘管模塊造成損壞，那么，我們就要了解過(guò)電壓保護(hù)，保護(hù)晶閘管模塊，不讓其受過(guò)電壓損壞。要保護(hù)晶閘管，就要知道過(guò)電壓是怎么產(chǎn)生的？從而去避免。以下是為大家列舉的詳細(xì)情況：晶閘管模塊對(duì)過(guò)電壓很敏感，當(dāng)正向電壓超過(guò)其斷態(tài)重復(fù)峰值電壓UDRM一定值時(shí)晶閘管就會(huì)誤導(dǎo)通，引發(fā)電路故障；當(dāng)外加反向電壓超過(guò)其反向重復(fù)峰值電壓URRM一定值時(shí)，晶閘管模塊就會(huì)立即損壞。因此，必須研究過(guò)電壓的產(chǎn)生原因及過(guò)電壓的方法。過(guò)電壓產(chǎn)生的原因主要是供給的電功率或系統(tǒng)的儲(chǔ)能發(fā)生了激烈的變化，使得系統(tǒng)來(lái)不及轉(zhuǎn)換，或者系統(tǒng)中原來(lái)積聚的電磁能量來(lái)不及消散而造成的。主要發(fā)現(xiàn)為雷擊等外來(lái)沖擊引起的過(guò)電壓和開(kāi)關(guān)的開(kāi)閉引起的沖擊電壓兩種類型。由雷擊或高壓斷路器動(dòng)作等產(chǎn)生的過(guò)電壓是幾微秒至幾毫秒的電壓尖峰，對(duì)晶閘管模塊是很危險(xiǎn)的。由開(kāi)關(guān)的開(kāi)閉引起的沖擊電壓又分為如下兩類：（1）交流電源接通、斷開(kāi)產(chǎn)生的過(guò)電壓例如，交流開(kāi)關(guān)的開(kāi)閉、交流側(cè)熔斷器的熔斷等引起的過(guò)電壓，這些過(guò)電壓由于變壓器繞組的分布電容、漏抗造成的諧振回路、電容分壓等使過(guò)電壓數(shù)值為正常值的2至10多倍。一般地，開(kāi)閉速度越快過(guò)電壓越高。正高電氣受行業(yè)客戶的好評(píng)，值得信賴。

    當(dāng)周圍光線較弱時(shí)，RG呈現(xiàn)高電阻，VD5右端電位升高，電容C充電速率加快，振蕩頻率變高，VS導(dǎo)通角增大，電燈兩端電壓升高、高度增大。當(dāng)周圍光線增強(qiáng)時(shí)，RG電阻變小，與上述相反，電燈兩端電壓變低，高度減小。元器件選擇與制作調(diào)試調(diào)試時(shí)，將RP調(diào)到阻值為零位置，S置于位置2，用萬(wàn)用表測(cè)電燈兩端交流電應(yīng)在200V以上，如低于200V可略減小R1或增大R3阻值，使之達(dá)到要求。光敏電阻RG應(yīng)安裝在臺(tái)燈底座側(cè)面臺(tái)燈光線不能直接照射的地方，用來(lái)感受周圍環(huán)境照度。調(diào)光臺(tái)燈的燈泡宜用40W的白熾燈。調(diào)整好的電路即可投入使用；S撥向2為普通調(diào)光臺(tái)燈，調(diào)RP可選擇適當(dāng)?shù)母呙芏龋籗撥向1為自動(dòng)臺(tái)燈，先調(diào)RP選擇好適當(dāng)亮度，如環(huán)境照度變暗時(shí)，臺(tái)燈亮度會(huì)逐漸變亮，增大照度。光敏電阻光控?zé)綦娐穲D（四）如圖所示是一種簡(jiǎn)易的光控開(kāi)關(guān)。在一些公共場(chǎng)所，如樓道、路燈等裝上自動(dòng)光控開(kāi)關(guān)，不僅方便而且也節(jié)電。它在天黑時(shí)會(huì)自動(dòng)開(kāi)燈，天亮?xí)r自動(dòng)熄滅。調(diào)節(jié)Ω電位器，可適用于不同型號(hào)的光敏電阻及在一定的條件（黑暗程度）下亮燈。光敏電阻光控?zé)綦娐穲D（五）該太陽(yáng)能光控定時(shí)節(jié)能照明燈電路是由太陽(yáng)能電池、蓄電池、光控電路、定時(shí)電路和節(jié)能燈驅(qū)動(dòng)電路幾部分組成。正高電氣愿和各界朋友真誠(chéng)合作一同開(kāi)拓。青島晶閘管智能模塊生產(chǎn)廠家

公司實(shí)力雄厚，產(chǎn)品質(zhì)量可靠。濱州MTDC100晶閘管智能模塊組件

晶閘管智能模塊過(guò)流保護(hù)：

加熱爐在實(shí)際工作中因加熱絲溫度上升，會(huì)導(dǎo)致加熱絲變形，如果加熱絲沒(méi)有采取良好的固定措施，會(huì)慢慢變形直至兩處加熱絲挨到一塊，形成短路，短路后會(huì)使電流增大，電流過(guò)大后會(huì)超過(guò)模塊的額定電流，燒毀模塊，為了限制電流過(guò)大，必須采取過(guò)流保護(hù)措施，一般再模塊的輸入端分別串聯(lián)快速熔斷器來(lái)限制比較大電流，熔斷器額定電流值一般取負(fù)載的額定電流或略大于負(fù)載額定電流，必須保證小于晶閘管智能模塊的額定電流，快速熔斷器額定電流過(guò)大將起不到保護(hù)作用。 濱州MTDC100晶閘管智能模塊組件

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