深圳MOS場效應管價格

來源: 發布時間:2025-05-04

MOSFET選型注意事項:MOSFET的選型基礎MOSFET有兩大類型:N溝道和P溝道。在功率系統中,MOSFET可被看成電氣開關。當在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時,其開關導 通。導通時,電流可經開關從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個內阻,稱為導通電阻RDS(ON)。必須清楚MOSFET的柵極是個高阻抗端,因此,總 是要在柵極加上一個電壓。如果柵極為懸空,器件將不能按設計意圖工作,并可能在不恰當的時刻導通或關閉,導致系統產生潛在的功率損耗。當源極和柵極間的電 壓為零時,開關關閉,而電流停止通過器件。雖然這時器件已經關閉,但仍然有微小電流存在,這稱之為漏電流,即IDSS。在使用場效應管時,需要注意正確連接其源極、柵極和漏極,以確保其正常工作。深圳MOS場效應管價格

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場效應管與晶體管的比較:(1)場效應管是電壓控制元件,而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下,應選用場效應管;而在信號電壓較低,又允許從信號源取較多電流的條件下,應選用晶體管。(2)場效應管是利用多數載流子導電,所以稱之為單極型器件,而晶體管是即有多數載流子,也利用少數載流子導電。被稱之為雙極型器件。(3)有些場效應管的源極和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負,靈活性比晶體管好。(4)場效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應管集成在一塊硅片上,因此場效應管在大規模集成電路中得到了普遍的應用。柵極場效應管供應場效應管的工作原理是利用電荷的寄主控制電流流動,具有與電阻不同的工作方式。

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場效應管應用場景:電路主電源開關,完全切斷,低功耗省電。大功率負載供電開關,如:電機,太陽能電池充電\放電,電動車電池充電逆變器SPWM波升壓部分功率電路;功放,音響的功率線性放大電路;數字電路中用于電平信號轉換;開關電源中,高頻大功率狀態;用于LED燈的恒流驅動電路;汽車、電力、通信、工業控制、家用電器等。MOS管G、S、D區分以及電流流向。MOS管G、S、D表示什么?G:gate 柵極S:source 源極D:drain 漏極。MOS管是金屬(Metal)—氧化物(Oxid)—半導體(Semiconductor)場效應晶體管。市面上常有的一般為N溝道和P溝道。N溝道的電源一般接在D,輸出S,P溝道的電源一般接在S,輸出D。

場效應管產品特性:(1)轉移特性:柵極電壓對漏極電流的控制作用稱為轉移特性。(2)輸出特性: UDS與ID的關系稱為輸出特性。(3)結型場效應管的放大作用:結型場效應管的放大作用一般指的是電壓放大作用。電氣特性:場效應管與晶體管在電氣特性方面的主要區別有以下幾點:貼片場效應管:1:場效應管是電壓控制器件,管子的導電情況取決于柵極電壓的高低。晶體管是電流控制器件,管子的導電情況取決于基極電流的大小。 2:場效應管漏源靜態伏安特性以柵極電壓UGS為參變量,晶體管輸出特性曲線以基極電流Ib 為參變量。3:場效應管電流IDS與柵極UGS之間的關系由跨導Gm 決定,晶體管電流Ic與Ib 之間的關系由放大系數β決定。也就是說,場效應管的放大能力用Gm 衡量,晶體管的放大能力用β衡量。4:場效應管的輸入阻抗很大,輸入電流極小;晶體管輸入阻抗很小,在導電時輸入電流較大。5:一般場效應管功率較小,晶體管功率較大。場效應管在無線電領域具有普遍應用,如射頻放大器、混頻器、振蕩器等,提高通信質量。

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馬達控制應用馬達控制應用是功率MOSFET大有用武之地的另一個應用領域。典型的半橋式控制電路采用2個MOSFET (全橋式則采用4個),但這兩個MOSFET的關斷時間(死區時間)相等。對于這類應用,反向恢復時間(trr) 非常重要。在控制電感式負載(比如馬達繞組)時,控制電路把橋式電路中的MOSFET切換到關斷狀態,此時橋式電路中的另一個開關經過MOSFET中的體二極管臨時反向傳導電流。于是,電流重新循環,繼續為馬達供電。當頭一個MOSFET再次導通時,另一個MOSFET二極管中存儲的電荷必須被移除,通過頭一個MOSFET放電,而這是一種能量的損耗,故trr 越短,這種損耗越小。場效應管的優勢在于低噪聲、高放大倍數和低失真,適用于高要求的音頻放大電路中。深圳MOS場效應管價格

在選型場效應管時,需要考慮其工作溫度范圍、最大耗散功率和靜態特性等參數。深圳MOS場效應管價格

場效應管主要參數:一、飽和漏源電流。飽和漏源電流IDSS:是指結型或耗盡型絕緣柵場效應管中,柵極電壓UGS=0時的漏源電流。二、夾斷電壓,夾斷電壓Up是指結型或耗盡型絕緣柵場效應管中,使漏源間剛截止時的柵極電壓。三、開啟電壓。開啟電壓UT是指加強型絕緣柵場效應管中,使漏源間剛導通時的柵極電壓。四、跨導。跨導gm是表示柵源電壓UGS對漏極電流ID的控制才能,即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值。gm是權衡場效應管放大才能的重要參數。深圳MOS場效應管價格

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