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陶瓷金屬化工藝為陶瓷與金屬的結(jié)合搭建了橋梁,其流程包含多個關(guān)鍵階段。首先對陶瓷坯體進(jìn)行預(yù)處理,使用砂紙打磨陶瓷表面,去除加工過程中產(chǎn)生的毛刺、飛邊,然后用去離子水和清洗劑清洗,去除油污與雜質(zhì),確保表面清潔。接著制備金屬化漿料,將金屬粉末(如鉬、錳、鎢等)與玻璃粉、有機添加劑按特定比例混合,在球磨機中充分研磨,制成具有合適粘度與流動性的漿料。隨后采用絲網(wǎng)印刷工藝,將金屬化漿料精確印刷到陶瓷表面,嚴(yán)格控制印刷厚度與圖形精度,保證金屬化區(qū)域符合設(shè)計要求,印刷厚度一般在 10 - 20μm 。印刷完成后,將陶瓷放入烘箱中烘干,在 80℃ - 120℃的溫度下,使?jié){料中的有機溶劑揮發(fā),漿料初步固化在陶瓷表面。烘干后的陶瓷進(jìn)入高溫?zé)Y(jié)爐,在氫氣等還原性氣氛中,加熱至 1450℃ - 1650℃ 。高溫下,漿料中的玻璃粉軟化,促進(jìn)金屬與陶瓷之間的原子擴(kuò)散與結(jié)合,形成牢固的金屬化層。為增強金屬化層的抗腐蝕能力與可焊性,通常會進(jìn)行鍍鎳處理,通過電鍍工藝,在金屬化層表面均勻鍍上一層鎳。終末對金屬化后的陶瓷進(jìn)行統(tǒng)統(tǒng)質(zhì)量檢測,包括外觀檢查、結(jié)合強度測試、導(dǎo)電性測試等,只有符合質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品才能進(jìn)入后續(xù)應(yīng)用環(huán)節(jié) 。陶瓷金屬化過程中需嚴(yán)格控制溫度和氣氛。碳化鈦陶瓷金屬化參數(shù)
陶瓷金屬化在散熱與絕緣方面具備突出優(yōu)勢。隨著科技發(fā)展,半導(dǎo)體芯片功率持續(xù)增加,散熱問題愈發(fā)嚴(yán)峻,尤其是在 5G 時代,對封裝散熱材料提出了極為嚴(yán)苛的要求。 陶瓷本身具有高熱導(dǎo)率,芯片產(chǎn)生的熱量能夠直接傳導(dǎo)到陶瓷片上,無需額外絕緣層,可實現(xiàn)相對更優(yōu)的散熱效果。通過金屬化工藝,在陶瓷表面附著金屬薄膜后,進(jìn)一步提升了熱量傳導(dǎo)效率,能更快地將熱量散發(fā)出去。同時,陶瓷是良好的絕緣材料,具有高電絕緣性,可承受很高的擊穿電壓,能有效防止電路短路,保障電子設(shè)備穩(wěn)定運行。 在功率型電子元器件的封裝結(jié)構(gòu)中,封裝基板作為關(guān)鍵環(huán)節(jié),需要同時具備散熱和機械支撐等功能。陶瓷金屬化后的材料,因其出色的散熱與絕緣性能,以及與芯片材料相近的熱膨脹系數(shù),能有效避免芯片因熱應(yīng)力受損,滿足了電子封裝技術(shù)向小型化、高密度、多功能和高可靠性方向發(fā)展的需求,在電子、電力等諸多行業(yè)有著廣泛應(yīng)用 。東莞碳化鈦陶瓷金屬化規(guī)格同遠(yuǎn)表面處理,開啟陶瓷金屬化新篇,滿足多樣定制需求。
陶瓷金屬化是實現(xiàn)陶瓷與金屬良好連接的重要工藝,有著嚴(yán)格的流程規(guī)范。首先對陶瓷基體進(jìn)行處理,使用金剛石砂輪等工具對陶瓷表面進(jìn)行打磨,使其平整光滑,然后在超聲波作用下,用酒精、炳酮等有機溶劑清洗,去除表面雜質(zhì)與油污。接著是金屬化漿料的準(zhǔn)備,以鉬錳法為例,將鉬粉、錳粉、玻璃料等按特定比例混合,加入有機載體,通過球磨機長時間研磨,制成均勻細(xì)膩、流動性良好的漿料。之后采用絲網(wǎng)印刷或流延法,將金屬化漿料精確轉(zhuǎn)移到陶瓷表面,確保涂層厚度一致且無氣泡、偵孔等缺陷,涂層厚度一般控制在 15 - 25μm 。涂覆后的陶瓷需進(jìn)行烘干,在 80℃ - 150℃的烘箱中,去除漿料中的水分和有機溶劑,使?jié){料初步固化。烘干后進(jìn)入高溫?zé)Y(jié)階段,把陶瓷放入高溫氫氣爐內(nèi),升溫至 1400℃ - 1600℃ 。在此高溫下,漿料中的玻璃料軟化,促進(jìn)金屬原子向陶瓷內(nèi)部擴(kuò)散,形成牢固的金屬化層。為提高金屬化層的可焊性與耐腐蝕性,通常會進(jìn)行鍍鎳處理,利用電鍍原理,在金屬化層表面均勻鍍上一層鎳。對金屬化后的陶瓷進(jìn)行周到檢測,通過金相分析觀察金屬化層與陶瓷的結(jié)合情況,用拉力試驗機測試結(jié)合強度等,確保產(chǎn)品質(zhì)量達(dá)標(biāo) 。
陶瓷金屬化在電子領(lǐng)域扮演著不可或缺的角色。陶瓷材料本身具備高絕緣性、高耐熱性和低熱膨脹系數(shù),經(jīng)金屬化處理后,融合了金屬的導(dǎo)電性,成為制造電子基板的理想材料。在集成電路中,陶瓷金屬化基板為芯片提供穩(wěn)定支撐,憑借良好的散熱性能,迅速導(dǎo)出芯片運行產(chǎn)生的熱量,防止芯片因過熱性能下降或損壞。像在高性能計算機里,陶瓷金屬化多層基板實現(xiàn)了芯片間的高密度互聯(lián),大幅提升數(shù)據(jù)傳輸速度,保障系統(tǒng)高效運行。在通信基站中,陶瓷金屬化器件能夠承受大功率射頻信號,降低信號傳輸損耗,***提升通信質(zhì)量。從日常使用的手機,到復(fù)雜的衛(wèi)星通信設(shè)備,陶瓷金屬化技術(shù)助力電子設(shè)備性能不斷突破,推動整個電子產(chǎn)業(yè)向更**邁進(jìn)。追求高質(zhì)量陶瓷金屬化,就選同遠(yuǎn)表面處理,好技術(shù)。
化學(xué)鍍金屬化工藝介紹化學(xué)鍍金屬化是一種在陶瓷表面通過化學(xué)反應(yīng)沉積金屬層的工藝。該工藝基于氧化還原反應(yīng)原理,在無外加電流的條件下,利用合適的還原劑,使溶液中的金屬離子在陶瓷表面被還原并沉積。其流程大致為:首先對陶瓷表面進(jìn)行預(yù)處理,通過打磨、脫脂等操作,提升表面潔凈度與粗糙度,為后續(xù)金屬沉積創(chuàng)造良好條件。接著將預(yù)處理后的陶瓷浸入含有金屬鹽與還原劑的鍍液中,在特定溫度與pH值環(huán)境下,鍍液中的金屬離子得到電子,在陶瓷表面逐步沉積形成金屬層。化學(xué)鍍金屬化工藝具有鍍層均勻、可鍍復(fù)雜形狀陶瓷等優(yōu)勢,廣泛應(yīng)用于電子封裝領(lǐng)域,能實現(xiàn)陶瓷與金屬部件的可靠連接,提升電子器件的性能與穩(wěn)定性。同時,在航空航天等對材料性能要求苛刻的行業(yè),也憑借其獨特優(yōu)勢助力相關(guān)部件的制造。陶瓷金屬化是一種先進(jìn)的材料處理技術(shù)。云浮鍍鎳陶瓷金屬化參數(shù)
陶瓷金屬化,助力 LED 封裝實現(xiàn)小尺寸大功率的優(yōu)勢突破。碳化鈦陶瓷金屬化參數(shù)
《探秘陶瓷金屬化的魅力》:當(dāng)陶瓷邂逅金屬,陶瓷金屬化技術(shù)誕生。這一技術(shù)對于功率型電子元器件封裝意義重大,封裝基板需集散熱、支撐、電連接等功能于一身,陶瓷金屬化恰好能滿足。例如,其高電絕緣性讓陶瓷在電路中安全隔離;高運行溫度特性,使產(chǎn)品能在高溫環(huán)境穩(wěn)定工作。直接敷銅法(DBC)作為金屬化方法之一,在陶瓷表面鍵合銅箔,通過特定溫度下的共晶反應(yīng)實現(xiàn)連接,但也面臨制作成本高、抗熱沖擊性能受限等挑戰(zhàn) 。
《陶瓷金屬化的多面性》:陶瓷金屬化作為材料領(lǐng)域的重要技術(shù),應(yīng)用前景廣闊。從步驟來看,煮洗、金屬化涂敷、燒結(jié)、鍍鎳等環(huán)節(jié)緊密相連,**終制成金屬化陶瓷基片等產(chǎn)品。在 LED 散熱基板應(yīng)用中,陶瓷金屬化產(chǎn)品憑借尺寸精密、散熱好等特點,有效解決 LED 散熱難題。活性金屬釬焊法是常用制備手段,工序少,一次升溫就能完成陶瓷 - 金屬封接,不過活性釬料單一,限制了其大規(guī)模連續(xù)生產(chǎn)應(yīng)用 。 碳化鈦陶瓷金屬化參數(shù)