晶圓砂輪評測

針對第三代半導體材料（SiC/GaN）的減薄需求，優普納砂輪適配6吋、8吋晶圓，滿足襯底片粗磨、精磨全流程。以東京精密HRG200X設備為例，6吋SiC線割片采用2000#砂輪粗磨，磨耗比只15%，Ra≤30nm；精磨使用30000#砂輪，磨耗比120%，Ra≤3nm，TTV穩定在2μm以下。DISCO設備案例中，8吋晶圓精磨后TTV≤2μm，適配性強，可替代日本、德國進口產品。江蘇優普納科技有限公司專業生產砂輪，品質有保證，歡迎您的隨時致電咨詢，為您提供滿意的產品以及方案。從材料特性分析到加工工藝定制，優普納為客戶提供全方面的解決方案，確保不同應用場景下的高效性和穩定性。晶圓砂輪評測

江蘇優普納科技有限公司：5G基站氮化鎵（GaN）器件對晶圓表面質量要求極高，江蘇優普納科技有限公司的砂輪通過超精密磨削工藝實現Ra≤3nm的鏡面效果。某通信設備制造商采用優普納砂輪加工6吋GaN襯底，精磨磨耗比120%，TTV≤2μm，芯片良率從88%提升至95%，單月產能突破10萬片。這一案例驗證了國產砂輪在高頻、高功率半導體領域的可靠性與競爭力。江蘇優普納科技有限公司專業生產砂輪，品質有保證，歡迎您的隨時致電咨詢，為您提供滿意的產品以及方案。第三代半導體減磨砂輪性價比優普納砂輪的低磨耗比優勢，不僅降低客戶成本，還保證加工后的晶圓表面質量，是高性價比的國產化替代方案。

江蘇優普納科技有限公司的精磨減薄砂輪具備一系列優越的產品特性，使其在市場中脫穎而出。首先是高耐磨性，砂輪所選用的磨粒，如針對第三代半導體材料的金剛石磨粒，具有極高的硬度和化學穩定性，能夠在長時間、強度高的磨削過程中保持磨粒的形狀和鋒利度，明顯延長了砂輪的使用壽命。以SiC晶圓減薄為例，相比傳統砂輪，優普納的產品可明顯降低砂輪的更換頻率，提高生產效率，降低生產成本。其次是高精度磨削能力，通過精確控制磨粒粒度分布和結合劑性能，砂輪能夠實現納米級別的磨削精度，確保加工后的晶圓表面粗糙度極低，平面度極高，滿足半導體制造等領域對工件表面質量的嚴格要求。再者，砂輪具有良好的自銳性，在磨削過程中，當磨粒磨損到一定程度時，結合劑能及時釋放磨粒，新的鋒利磨粒迅速參與磨削，保證了磨削效率的穩定性，避免因磨粒鈍化導致的加工質量下降和效率降低。同時，優普納的精磨減薄砂輪還具備出色的散熱性能，在高速磨削過程中，能有效將磨削產生的熱量帶走，減少因熱變形對工件精度的影響，全方面保障了加工過程的穩定性和產品質量的可靠性。

江蘇優普納科技有限公司的碳化硅減薄砂輪，采用自主研發的強度高微晶增韌陶瓷結合劑及多孔砂輪顯微組織調控技術，打破國外技術壟斷，實現國產化替代。相比進口砂輪，產品磨耗比降低至15%-35%（粗磨）及100%-300%（精磨），表面粗糙度Ra≤3nm，TTV精度達2μm以內，適配東京精密、DISCO等國際主流設備。例如，在8吋SiC線割片加工中，砂輪磨耗比只為30%（粗磨）和200%（精磨），效率提升20%以上，明顯降低客戶綜合成本。歡迎您的隨時咨詢~在實際案例中，優普納砂輪于DISCO-DFG8640減薄機上對8吋SiC線割片進行精磨，磨耗比200% Ra≤3nm TTV≤2μm。

江蘇優普納科技有限公司的碳化硅晶圓減薄砂輪，展現了強大的設備適配性。其基體優化設計能夠根據客戶不同設備需求進行定制，無論是東京精密還是DISCO的減薄機，都能完美適配。這種強適配性不只減少了客戶在設備調整上的時間和成本，還確保了加工過程的高效性和穩定性。在DISCO-DFG8640減薄機的實際應用中，無論是粗磨還是精磨，優普納砂輪都能保持穩定的性能，滿足不同加工需求。這種綜合優勢，使得優普納的砂輪在市場上更具競爭力，能夠快速響應客戶需求，為客戶提供一站式的解決方案。基體優化設計的優普納砂輪，減少振動，增強冷卻液流動，提升加工效率與質量，適配不同設備，展現強適配性。第三代半導體減磨砂輪性價比

在8吋SiC線割片的粗磨加工中，優普納砂輪于DISCO-DFG8640減薄機上達到磨耗比30%，Ra≤30nm，TTV≤3μm。晶圓砂輪評測

江蘇優普納科技有限公司的碳化硅晶圓減薄砂輪，以其高精度加工能力成為第三代半導體材料加工的理想選擇。其專研的強度高微晶增韌陶瓷結合劑和多孔顯微組織調控技術，賦予了砂輪優越的穩定性，能夠有效減少振動，確保加工后的晶圓表面粗糙度極低。在東京精密-HRG200X減薄機的實際應用中，6吋和8吋SiC線割片的加工結果顯示，表面粗糙度Ra值和總厚度變化TTV均達到了行業先進水平。這種高精度的加工能力，不只滿足了半導體制造的需求，也為優普納在國產碳化硅減薄砂輪市場奠定了堅實的基礎，助力其品牌形象進一步鞏固。晶圓砂輪評測