芬蘭單通道膜片鉗電生理技術(shù)

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2025-05-21

電壓鉗技術(shù),是20世紀(jì)初由Cole發(fā)明,Hodgkin和Huxley完善,其設(shè)計(jì)的主要目的是為了證明動(dòng)作電位的產(chǎn)生機(jī)制,即動(dòng)作電位的峰電位是由于膜對(duì)鈉的通透性發(fā)生了一過(guò)性的增大過(guò)程。但當(dāng)時(shí)沒(méi)有直接測(cè)定膜通透性的方法,于是就用膜對(duì)某種離子的電導(dǎo)來(lái)**該種離子的通透性,膜電導(dǎo)測(cè)定的依據(jù)是電學(xué)中的歐姆定律,如膜的Na電導(dǎo)GNa與電化學(xué)驅(qū)動(dòng)力(Em-ENa)和膜電流INa的關(guān)系GNa=INa/(Em-ENa).因此可通過(guò)測(cè)量膜電流,再利用歐姆定律來(lái)計(jì)算膜電導(dǎo),但是,利用膜電流來(lái)計(jì)算膜電導(dǎo)時(shí),記錄膜電流期間的膜電位必須保持不變,否則膜電流的變化就不能**膜電導(dǎo)的變化。這一條件是利用電壓鉗技術(shù)實(shí)現(xiàn)的。下張幻燈中的右邊兩張圖是Hodgkin和Huxley在半個(gè)世紀(jì)以前利用電壓鉗記錄的搶烏賊的動(dòng)作電位和動(dòng)作電位過(guò)程中的膜電流的變化圖,他們的實(shí)驗(yàn)***證明參與動(dòng)作電位的離子流由Na,k,漏(Cl)三種成分組成。并對(duì)這些離子流進(jìn)行了定量分析。這一技術(shù)對(duì)闡明動(dòng)作電位的本質(zhì)和離子通道的的研究做出了極大的貢獻(xiàn)。滔博生物TOP-Bright專注基于多種離子通道靶點(diǎn)的化合物體外篩選,服務(wù)于全球藥企的膜片鉗公司,快速獲得實(shí)驗(yàn)結(jié)果,專業(yè)團(tuán)隊(duì),7*34小時(shí)隨時(shí)人工在線咨詢.用膜片鉗,輕松掌握細(xì)胞膜離子通道的電生理特性!芬蘭單通道膜片鉗電生理技術(shù)

芬蘭單通道膜片鉗電生理技術(shù),膜片鉗

全細(xì)胞記錄構(gòu)型(whole-cellrecording)高阻封接形成后,繼續(xù)以負(fù)壓抽吸使電極管內(nèi)細(xì)胞膜破裂,電極胞內(nèi)液直接相通,而與浴槽液絕緣,這種形式稱為“全細(xì)胞”記錄。它既可記錄膜電位又可記錄膜電流。其中膜電位可在電流鉗情況下記錄,或?qū)⒉9苓B到標(biāo)準(zhǔn)高阻微電極放大器上記錄。在電壓鉗條件下記錄到的大細(xì)胞全細(xì)胞電流可達(dá)nA級(jí),全細(xì)胞鉗的串聯(lián)電阻(玻管和細(xì)胞內(nèi)部之間的電阻)應(yīng)當(dāng)補(bǔ)償。任何流經(jīng)膜的電流均流經(jīng)這一電阻,所引起的電壓降將使玻管電壓不同于細(xì)胞內(nèi)的真正電位。電流愈大,愈需對(duì)串聯(lián)電阻進(jìn)行補(bǔ)償。全細(xì)胞鉗應(yīng)注意細(xì)胞必需合理的小到其電流能被放大器測(cè)到的范圍(25~50nA)。減少串聯(lián)電阻的方法是玻管尖要比單通道記錄大。滔博生物TOP-Bright專注基于多種離子通道靶點(diǎn)的化合物體外篩選,服務(wù)于全球藥企的膜片鉗公司,快速獲得實(shí)驗(yàn)結(jié)果,專業(yè)團(tuán)隊(duì),7*29小時(shí)隨時(shí)人工在線咨詢.美國(guó)雙分子層膜片鉗離子電流在膜電位改變時(shí),在電場(chǎng)的作用下,重新分布導(dǎo)致通道的關(guān)閉,同時(shí)有電荷移動(dòng),稱為門控電流。

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膜片鉗技術(shù)(patchclamptechniques)是采用鉗制電壓或電流的方法對(duì)生物膜上離子通道的電活動(dòng)進(jìn)行記錄的微電極技術(shù)。1989年,Blanton將腦片電生理記錄與細(xì)胞的膜片鉗記錄結(jié)合起來(lái),建立了腦片膜片鉗記錄技術(shù)(patchclamponinvitrobrainslices),這為在細(xì)胞水平研究反射中樞系統(tǒng)離子通道或受體在神經(jīng)環(huán)路中的生理和藥理學(xué)作用及其機(jī)制提供了可能性。離體的腦組織能夠在一定的溫度、酸度和滲透壓、通氧狀態(tài)等條件下存活并保持良好的生理狀態(tài)。與急性分離的或培養(yǎng)的神經(jīng)元相比,離體腦片中的神經(jīng)元更接近生理狀態(tài):基本保持了在體情況下的細(xì)胞形態(tài),神經(jīng)細(xì)胞之間及神經(jīng)細(xì)胞與非神經(jīng)細(xì)胞之間的很多固有聯(lián)系,以及較為正常完整的突觸回路、受體分布、遞質(zhì)釋放及其信息傳遞等功能。

目前,絕大多數(shù)離子通道的一級(jí)結(jié)構(gòu)得到了闡明但根本的還是要搞清楚各種離子通道的三維結(jié)構(gòu),在這方面,美國(guó)的二位科學(xué)家彼得阿格雷和羅德里克麥金農(nóng)做出了一些開(kāi)創(chuàng)性的工作,他們到用X光繞射方法得到了K離子通道的三維結(jié)構(gòu),二位因此獲得2003年諾貝系化學(xué)獎(jiǎng)。有關(guān)離子通道結(jié)構(gòu)不是本PPT的重點(diǎn),可參考楊寶峰的<離子通道藥理學(xué)>和Hill的

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在膜片鉗技術(shù)的發(fā)展過(guò)程中主要形成了五種記錄模式,即細(xì)胞貼附模式(cell-attachedmode或loose-seal-cellattachedmode)、膜內(nèi)面向外模式(inside-outmode)、膜外面向外模式(outside-outmode)、常規(guī)全細(xì)胞模式(conventionalwhole-cellmode)和穿孔膜片模式(perforatedpatchmode)。a.亞細(xì)胞水平:細(xì)胞貼附模式,可記錄通過(guò)電極下膜片中通道蛋白的離子電流(紅色虛線箭頭)。在全細(xì)胞膜片鉗中,膜片破裂,因此可以記錄全細(xì)胞的宏觀電流,它表示整個(gè)細(xì)胞的總和電流(藍(lán)色虛線箭頭)。b.細(xì)胞水平:來(lái)自神經(jīng)元不同部分的全細(xì)胞同步記錄可確定信號(hào)傳遞的方向。c.神經(jīng)元網(wǎng)絡(luò)水平:全細(xì)胞記錄可以在一個(gè)連接神經(jīng)元的小網(wǎng)絡(luò)中進(jìn)行。d.活物水平:可以在執(zhí)行任務(wù)或自由走動(dòng)的動(dòng)物大腦中進(jìn)行全細(xì)胞記錄。典型的單通道電流呈一種振幅相同而持續(xù)時(shí)間不等的脈沖樣變化。芬蘭可升級(jí)膜片鉗單細(xì)胞

膜片鉗技術(shù)實(shí)現(xiàn)了小片膜的孤立和高阻封接的形成。芬蘭單通道膜片鉗電生理技術(shù)

電壓鉗技術(shù),是20世紀(jì)初由Cole發(fā)明,Hodgkin和Huxley完善,其設(shè)計(jì)的主要目的是為了證明動(dòng)作電位的產(chǎn)生機(jī)制,即動(dòng)作電位的峰電位是由于膜對(duì)鈉的通透性發(fā)生了一過(guò)性的增大過(guò)程。但當(dāng)時(shí)沒(méi)有直接測(cè)定膜通透性的方法,于是就用膜對(duì)某種離子的電導(dǎo)來(lái)**該種離子的通透性,膜電導(dǎo)測(cè)定的依據(jù)是電學(xué)中的歐姆定律,如膜的Na電導(dǎo)GNa與電化學(xué)驅(qū)動(dòng)力(Em-ENa)和膜電流INa的關(guān)系GNa=INa/(Em-ENa).因此可通過(guò)測(cè)量膜電流,再利用歐姆定律來(lái)計(jì)算膜電導(dǎo),但是,利用膜電流來(lái)計(jì)算膜電導(dǎo)時(shí),記錄膜電流期間的膜電位必須保持不變,否則膜電流的變化就不能**膜電導(dǎo)的變化。這一條件是利用電壓鉗技術(shù)實(shí)現(xiàn)的。下張幻燈中的右邊兩張圖是Hodgkin和Huxley在半個(gè)世紀(jì)以前利用電壓鉗記錄的搶烏賊的動(dòng)作電位和動(dòng)作電位過(guò)程中的膜電流的變化圖,他們的實(shí)驗(yàn)***證明參與動(dòng)作電位的離子流由Na,k,漏(Cl)三種成分組成。并對(duì)這些離子流進(jìn)行了定量分析。這一技術(shù)對(duì)闡明動(dòng)作電位的本質(zhì)和離子通道的的研究做出了極大的貢獻(xiàn)。芬蘭單通道膜片鉗電生理技術(shù)

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