硅碳棒規格的選擇應主要滿足電爐結構尺寸，爐用功率和爐膛溫度及溫場分布等方面的要求，用時注意有利于外部接線和功率調節，碳棒需用支數可用下列計算得出：規格確定后，硅碳棒廠家認為：每支棒承荷功率數為： P1=F*W(瓦)；F-每棒發熱部表面積（Cm2）；W-在計算加爐溫下發熱部允許的負荷密度（W/Cm2）。 需要支數：P---爐用功率；U---串聯支路端電壓（伏）；u---每支棒承受的電壓（伏）。 每支棒承受的電壓：R-單支棒的標稱電阻值。 供電設備的選擇及硅碳棒的聯結方式：供電設備選用調壓范圍較大可平穩連續調壓的設備，如磁性調壓器，可控硅交直流調壓器等，如選用有級調壓變壓器,等直徑硅碳棒廠，也應選用電壓級差小，調壓擋數多的變壓器，碳棒元件的聯結方式可串可并，以并聯使用為優，串聯使用時，支路串聯支數不宜多于3支。奧翔硅碳具備雄厚的實力和豐富的實踐經驗。江西等直徑硅碳棒功率
為防止硅碳棒電熱元件與上部結構的耐火材料互相影響，各個元件的管腳均用陶瓷纖維套管絕緣，陶瓷纖維套管不但起著電氣絕緣的作用而且還起到固定硅碳棒的作用。在窯爐中使用硅碳棒，操作溫度可達1700℃，但在還原性氣氛下，操作溫度為1500℃，要注意溫度的控制。料道中使用的硅碳棒，為了保障硅碳棒加熱元件的使用效果，可改進料道上部結構，用擋磚將料道與工作池隔開，嚴格控制料道氣氛。面對不同的使用環境也應當遵循硅碳棒廠家的使用說明，同時在生產期間也應當保質保量，確保每一個產品的質量，做好整體的使用。江西等直徑硅碳棒零售奧翔硅碳擁有業內**人士和高技術人才。
選用硅碳棒的時候，我們都需要了解產品的理化性質，這樣在后期進行使用的時候才能方便選用，下面來看下硅碳棒的理化性質。 元件質地：硬而脆，耐急冷急熱，高溫下不易變形，其它物理性能如下： 導熱系數：**卡/米·小時·度 線膨脹系數：5×10-6(m/℃) 化學性質：有良好的化學穩定性，抗酸能力強。在高溫條件下堿性物質對其有侵蝕作用。 硅碳棒元件在1000℃以上長期使用能與氧氣和水蒸氣發生如下作用： ①Sic+2O2→Sio2+CO2 ②Sic+4H2O=Sio2+4H2+CO2 致使元件中SiO2含量逐漸增多，電阻隨之緩慢增加，為之老化。如水蒸氣過多，會促進SiC氧化，由②式反應產生的H2與空氣中的O2結合H2O再反應產生惡性循環。降低元件壽命。氫氣 (H2)能使元件機械強度降低。氮氣(N2)在1200℃以下能防止SiC氧化1350℃以上與SiC發生反應，使SiC分解氯氣(Cl2)能使Sic完全分解。
硅碳棒是高溫窯爐上的一種重要配件，它的耐高溫性能非常的強，因此，其應用范圍也在不斷的擴大，下面我們就隨廠家一起來看一下它在白熾燈中的應用吧： 硅碳棒是簡便的紅外光源，作為光聲光譜用的光源，其想射束強度低1個數量級以上，為此，輸入功率更髙，并在高溫下工作的白熾碳棒被用作光聲光譜的光源，碳棒是在氬氣氛中通電的，可得到2500K左右的熱輻射分布溫度，棒的壽命是400小時左右，可以用光譜純的高純度碳制作，在直徑8亳米、長度120毫米的碳棒**，開有長度為6厘米、深度為3毫米的V形槽，以此作為熱輻射區，所需功率約為4千瓦，電極部分用水冷卻，腔罩用溴化鉀光窗，這樣更容易輸出熱輻射，蒸發的碳一旦附著在腔罩上，便會引起電流的損失，導致光源變暗，因此，必須定期淸洗腔罩。奧翔硅碳不斷從事技術革新，改進生產工藝，提高技術水平。
我們平時使用的硅碳棒的比較穩定的性能，所以在加熱爐上是經常使用的一種零件，那么在使用的時候需要注意的細節有那些呢？ 1、穿硅碳棒的爐孔的內徑應是冷端部外徑的1.4~1.6倍，爐孔過小或孔內得填充物塞得過緊，高溫時阻礙自由伸縮而導致斷棒。安裝時，當棒穿過爐壁兩側（或上下）的棒孔后，應自由轉動360度，嚴防安裝與敲打。 2、硅碳棒與被加熱物及爐壁的距離應大于或等于發熱部直徑的3倍。棒與棒之間的中心距應不小于其發熱部直徑的4倍，冷端部與主電路用鋁辮或鋁箔連接且冷端部的夾具要卡緊。 3、安裝使用前先檢查冷端部標記的電阻（Ω）值，如字跡不清，須重新測試，測試方法是通電加熱升溫至1050℃的高溫時測得的電壓，電流，以歐姆定律求的電阻。 4、硅碳棒使用時每組棒應進行高溫阻值配阻。先阻值相同或接近連接在一起，配阻的電值允許差為：≥φ12mm棒配阻，電阻值允差為≤0.2Ω，≤φ8mm棒配阻，電阻值允差為≤0.5Ω。 5、新建爐或長時間不使用的在使用前要進行烘爐，應采用舊棒或其它熱源烘爐。開始送電時，送電初期電壓應為其正常工作電壓的一半，穩定一段時間以后再逐漸提高電壓。 奧翔硅碳重信譽、守合同，嚴把產品質量關，熱誠歡迎廣大用戶前來咨詢考察，洽談業務！江西等直徑硅碳棒批發零售
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一般在制作硅碳棒時的次燒結，都是將碳化硅生料和瀝青、焦油等粘合劑攪拌均勻，并用擠壓機擠壓成型，然后在隧道窯中直接進行燒結，這種做法會有一定的缺點。現在給大家介紹一下新的制作工藝。 新的工藝在次燒結時是將擠壓成型的胚件，放在真空容器里，抽真空到20~50毫米汞柱，然后以每分鐘5~10攝氏度的升溫速度，從常溫升到350攝氏度，在350攝氏度保溫30分鐘，使胚件各部位均勻的達到此溫度，再以每分鐘10攝氏度的速度升溫至920攝氏度，在920攝氏度時保溫30分鐘，可以將殘留的摻合物雜質排清，得到較為理想的硅化碳燒結物。這種燒結方法在粗真空中進行，各種雜質成分易揮發，一次殘留的雜質少。 第二次燒結式的原理是在碳化硅胚料的周圍用碳化硅粉末包圍起來，圍用其他埋料，這樣在高溫時不僅形成還原性氣氛，而且使碳化硅胚料表面與新生成的碳化硅分子隔離開來，隔離物是碳化硅埋料，新生成的碳化硅分子與碳化硅埋料起作用，而保護了里面的碳化硅。 新的工藝簡單操作而且將硅碳棒的雜質盡可能的減少，提高了產品的性能。同時在質量上又是一個新的提升。提高了整體的品質與使用年限。江西等直徑硅碳棒功率
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