表1 IGBT門極驅(qū)動條件與器件特性的關(guān)系由于IGBT的開關(guān)特性和安全工作區(qū)隨著柵極驅(qū)動電路的變化而變化,因而驅(qū)動電路性能的好壞將直接影響IGBT能否正常工作。為使IGBT能可靠工作。IGBT對其驅(qū)動電路提出了以下要求。1)向IGBT提供適當(dāng)?shù)恼驏艍骸2⑶以贗GBT導(dǎo)通后。柵極驅(qū)動電路提供給IGBT的驅(qū)動電壓和電流要有足夠的幅度,使IGBT的功率輸出級總處于飽和狀態(tài)。瞬時過載時,柵極驅(qū)動電路提供的驅(qū)動功率要足以保證IGBT不退出飽和區(qū)。IGBT導(dǎo)通后的管壓降與所加?xùn)旁措妷河嘘P(guān),在漏源電流一定的情況下,VGE越高,VDS值就越低,器件的導(dǎo)通損耗就越小,這有利于充分發(fā)揮管子的工作能力。但是, VGE并非越高越好,一般不允許超過20 V,原因是一旦發(fā)生過流或短路,柵壓越高,則電流幅值越高,IGBT損壞的可能性就越大。通常,綜合考慮取+15 V為宜。驅(qū)動集成芯片:在數(shù)字電源中應(yīng)用,許多驅(qū)動芯片自帶保護(hù)和隔離功能。上海優(yōu)勢驅(qū)動電路設(shè)計
調(diào)光原理市面上大多數(shù)可控硅調(diào)光器基本結(jié)構(gòu)如圖1所示,其工作原理如下:當(dāng)交流電壓加雙向可控硅TRIAC兩端時,由于Rt、Ct組成的RC充電電路有一個充電時間,電容上的電壓是從0V開始充電的,并且TRIAC的驅(qū)動極串聯(lián)有一個DIAC(雙向觸發(fā)二極管,一般是30V左右),因此TRIAC可靠截止。當(dāng)Ct上的電壓上升到30V時,DIAC觸發(fā)導(dǎo)通,TRIAC可靠導(dǎo)通,此時TRIAC兩端的電壓瞬間變?yōu)榱悖珻t通過Rt迅速放電,當(dāng)Ct電壓跌落到30V以下時,DIAC截止,如果TRIAC通過的電流大于其維持電流則繼續(xù)導(dǎo)通,如果低于其維持電流將會截止。電感L和電容C的作用是減小電流和電壓的變化率,以抑制電磁干擾EMI問題。奉賢區(qū)國產(chǎn)驅(qū)動電路售價物理意義:指推動或驅(qū)使某物運動的力量或機(jī)制。例如,汽車的發(fā)動機(jī)驅(qū)動汽車前進(jìn)。
光耦的特點光耦基本電路1. 參數(shù)設(shè)計簡單2. 輸出端需要隔離驅(qū)動電源3. 驅(qū)動功率有限磁耦合-變壓器隔離受高頻調(diào)制的單向脈沖變壓器隔離電路磁耦合:用于傳送較低頻信號時—調(diào)制/解調(diào)磁耦合的特點:1.既可傳遞信號又可傳遞功率2.頻率越高,體積越小-適合高頻應(yīng)用比較好驅(qū)動特性和驅(qū)動電流波形比較好驅(qū)動1.開通時: 基極電流有快速上升沿和過沖—加速開通,減小開通損耗;2.導(dǎo)通期間:足夠的基極電流,使晶體管任意負(fù)載飽和導(dǎo)通—低導(dǎo)通損耗;關(guān)斷前調(diào)整基極電流,使晶體管處于臨界飽和導(dǎo)通—減小 , 關(guān)斷快;
門極驅(qū)動功率 PG = E · fSW = QG · [ VG(on) - VG(off) ] · fSW驅(qū)動器總功率 P = PG + PS(驅(qū)動器的功耗)平均輸出電流 IoutAV = PG / ΔUGE = QG · fSW比較高開關(guān)頻率 fSW max. = IoutAV(mA) / QG(μC)峰值電流IG MAX = ΔUGE / RG min = [ VG(on) - VG(off) ] / RG min其中的 RG min = RG extern + RG internfsw max. : 比較高開關(guān)頻率IoutAV :單路的平均電流QG : 門極電壓差時的 IGBT門極總電荷RG extern : IGBT 外部的門極電阻RG intern : IGBT 芯片內(nèi)部的門極電阻但是實際上在很多情況下,數(shù)據(jù)手冊中這個門極電荷參數(shù)沒有給出,門極電壓在上升過程中的充電過程也沒有描述。這時候比較好是按照 IEC 60747-9-2001 - Semiconductor devices -MOSFET驅(qū)動:MOSFET常用于中小功率數(shù)字電源,其驅(qū)動電壓范圍一般在-10~20V之間。
?IGBT驅(qū)動電路是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率的半導(dǎo)體器件IGBT驅(qū)動電路是驅(qū)動IGBT模塊以能讓其正常工作,并同時對其進(jìn)行保護(hù)的電路。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。圖1圖1所示為一個N 溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu), N+ 區(qū)稱為源區(qū),附于其上的電極稱為源極。N+ 區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū),附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。這些開關(guān)器件的開通和關(guān)斷狀態(tài)決定了主電路中的電流流向和大小,從而實現(xiàn)了對電子設(shè)備的精確控制。上海優(yōu)勢驅(qū)動電路設(shè)計
它是電子設(shè)備和系統(tǒng)中至關(guān)重要的組成部分,廣泛應(yīng)用于計算機(jī)、通信設(shè)備、電視、汽車、機(jī)器人等領(lǐng)域。上海優(yōu)勢驅(qū)動電路設(shè)計
3、調(diào)節(jié)功率開關(guān)器件的通斷速度柵極電阻小,開關(guān)器件通斷快,開關(guān)損耗小;反之則慢,同時開關(guān)損耗大。但驅(qū)動速度過快將使開關(guān)器件的電壓和電流變化率**提高,從而產(chǎn)生較大的干擾,嚴(yán)重的將使整個裝置無法工作,因此必須統(tǒng)籌兼顧。二、柵極電阻的選取1、柵極電阻阻值的確定各種不同的考慮下,柵極電阻的選取會有很大的差異。初試可如下選取:不同品牌的IGBT模塊可能有各自的特定要求,可在其參數(shù)手冊的推薦值附近調(diào)試。2、柵極電阻功率的確定柵極電阻的功率由IGBT柵極驅(qū)動的功率決定,一般來說柵極電阻的總功率應(yīng)至少是柵極驅(qū)動功率的2倍。上海優(yōu)勢驅(qū)動電路設(shè)計
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