深圳LED光刻膠感光膠

來源： 發布時間：2025-05-28

吉田半導體 SU-3 負性光刻膠：國產技術賦能 5G 芯片封裝

自主研發 SU-3 負性光刻膠支持 3 微米厚膜加工，成為 5G 芯片高密度封裝材料。
針對 5G 芯片封裝需求，吉田半導體自主研發 SU-3 負性光刻膠，分辨率達 1.5μm，抗深蝕刻速率 > 500nm/min。其超高感光度與耐化學性確保復雜圖形的完整性，已應用于高通 5G 基帶芯片量產。產品采用國產原材料與工藝，不采用國外材料，成本較進口產品降低 40%，幫助客戶提升封裝良率至 98.5%，為國產 5G 芯片制造提供關鍵材料支撐。
挑戰與未來展望的發展。深圳LED光刻膠感光膠

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 綠色制造與循環經濟
公司采用水性光刻膠技術，溶劑揮發量較傳統產品降低60%，符合歐盟REACH法規和國內環保標準。同時，其光刻膠廢液回收項目已投產，通過膜分離+精餾技術實現90%溶劑循環利用，年減排VOCs（揮發性有機物）超100噸。

 低碳供應鏈管理
吉田半導體與上游供應商合作開發生物基樹脂，部分產品采用可再生原料（如植物基丙烯酸酯），碳排放強度較傳統工藝降低30%。這一舉措使其在光伏電池和新能源汽車領域獲得客戶青睞，相關訂單占比從2022年的15%提升至2023年的25%。
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廣東吉田半導體材料有限公司成立于 2023 年，總部位于東莞松山湖經濟技術開發區，注冊資本 2000 萬元。作為高新企業和廣東省專精特新企業，公司專注于半導體材料的研發、生產與銷售，產品線覆蓋芯片光刻膠、LCD 光刻膠、納米壓印光刻膠、半導體錫膏、焊片及靶材等領域。其光刻膠產品以高分辨率、耐蝕刻性和環保特性著稱，廣泛應用于芯片制造、顯示面板及精密電子元件生產。

公司依托 23 年行業經驗積累，構建了完整的技術研發體系，擁有全自動化生產設備及多項技術。原材料均選用美國、德國、日本進口的材料，并通過 ISO9001:2008 質量管理體系認證，生產流程嚴格執行 8S 現場管理標準，確保產品穩定性與一致性。目前，吉田半導體已與多家世界 500 強企業及電子加工企業建立長期合作，產品遠銷全球市場，致力于成為半導體材料領域的企業。

光刻膠的主要應用領域

光刻膠是微電子制造的主要材料，廣泛應用于以下領域：

 半導體制造

? 功能：在晶圓表面形成微細電路圖案，作為蝕刻或離子注入的掩膜。

? 分類：

? 正性光刻膠：曝光區域溶解于顯影液，形成與掩膜版一致的圖案（主流，分辨率高）。

? 負性光刻膠：未曝光區域溶解，形成反向圖案（用于早期工藝，耐蝕刻性強）。

? 技術演進：隨制程精度提升，需匹配不同曝光波長（紫外UV、深紫外DUV、極紫外EUV），例如EUV光刻膠用于7nm以下制程。

 平板顯示（LCD/OLED）

? 彩色濾光片（CF）：在玻璃基板上制作紅/綠/藍像素單元，光刻膠用于圖案化黑矩陣（BM）、彩色層（R/G/B）和保護層。

? 電極圖案：制作TFT-LCD的電極線路或OLED的陰極/陽極，需高透光率和精細邊緣控制。

 印刷電路板（PCB）

? 線路蝕刻：在覆銅板上涂膠，曝光顯影后保留線路區域，蝕刻去除未保護的銅箔，形成導電線路。

? 阻焊與字符層：阻焊膠覆蓋非線路區域，防止短路；字符膠用于印刷電路板標識。

 LED與功率器件

? 芯片制造：在藍寶石/硅基板上制作電極和量子阱結構，需耐高功率環境的耐高溫光刻膠。

? Micro-LED：微米級芯片轉移和陣列化，依賴超高分辨率光刻膠（分辨率≤5μm）。

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 差異化競爭策略
在高級市場（如ArF浸沒式光刻膠），吉田半導體采取跟隨式創新，通過優化現有配方（如提高酸擴散抑制效率）逐步縮小與國際巨頭的差距；在中低端市場（如PCB光刻膠），則憑借性價比優勢（價格較進口產品低20%-30%）快速搶占份額，2023年PCB光刻膠市占率突破10%。

 前沿技術儲備
公司設立納米材料研發中心，重點攻關分子玻璃光刻膠和金屬有機框架（MOF）光刻膠，目標在5年內實現EUV光刻膠的實驗室級突破。此外，其納米壓印光刻膠已應用于3D NAND存儲芯片的孔陣列加工，分辨率達10nm，為國產存儲廠商提供了替代方案。
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技術挑戰與發展趨勢

 更高分辨率需求：

? EUV光刻膠需解決“線邊緣粗糙度（LER）”問題（目標＜5nm），通過納米顆粒分散技術或新型聚合物設計改善。

 缺陷控制：

? 半導體級正性膠要求金屬離子含量＜1ppb，顆粒（＞50nm）＜1個/mL，需優化提純工藝（如多級過濾+真空蒸餾）。

 國產化突破：

? 國內企業（如上海新陽、南大光電、容大感光）已在KrF/ArF膠實現批量供貨，但EUV膠仍被日本JSR、美國陶氏、德國默克壟斷，需突破樹脂合成、PAG純度等瓶頸。

 環保與節能：

? 開發水基顯影正性膠（減少有機溶劑使用），或低烘烤溫度膠（降低半導體制造能耗）。

典型產品示例

? 傳統正性膠：Shipley S1813（G/I線，用于PCB）、Tokyo Ohka TSM-305（LCD黑矩陣）。

? DUV正性膠：信越化學的ArF膠（用于14nm FinFET制程）、中芯國際認證的國產KrF膠（28nm節點）。

? EUV正性膠：JSR的NeXAR系列（7nm以下，全球市占率超70%）。

正性光刻膠是推動半導體微縮的主要材料，其技術進步直接關聯芯片制程的突破，未來將持續向更高精度、更低缺陷、更綠色工藝演進。
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