從而能夠緩解定位平面311兩側的應力集中現象，提高了驅動軸3和驅動襯套2上應力分布的均勻性。并且，在本實施例中，兩圓柱面312與驅動襯套2套孔中的相應圓柱面相配合，能夠實現定位平面311的精確定位，保證定位平面311與驅動襯套2套孔中的平面緊密貼合，避免平面之間的空隙導致驅動軸3和驅動襯套2在傳動過程中相互碰撞、磨損。此外，兩定位平面311以驅動軸3的軸線為對稱中心對稱設置，使得驅動軸3與驅動襯套2通過平面傳動時受到的力矩也是中心對稱的，避免了驅動襯套2與驅動軸3的軸線之間發生偏移，保證了定位精度。為提高工藝盤組件結構的整體強度，推薦地，如圖6所示，驅動襯套2包括相互連接的***襯套部210和第二襯套部220，***襯套部210和第二襯套部220沿工藝盤轉軸1的軸線方向排列，第二襯套部220位于***襯套部210朝向驅動軸體部320的一側，驅動襯套2的套孔包括形成在***襯套部210中的驅動通孔211和形成在第二襯套部220中的軸通孔221，驅動通孔211與驅動連接部310匹配；***襯套部210的外徑小于第二襯套部220的外徑，定位凸起222形成在第二襯套部220的外壁上，且第二襯套部220與工藝盤轉軸1的安裝孔相配合。在本實用新型的實施例中。CNC 鉆孔服務 ， CNC 鉆孔部件。天津制造半導體與電子工程塑料零件定制加工要求
附圖標記說明01：工藝盤1：工藝盤轉軸2：驅動襯套210：***襯套部211：驅動通孔211a：避讓槽220：第二襯套部221：軸通孔222：定位凸起3：驅動軸310：驅動連接部320：驅動軸體部311：定位平面312：圓柱面4：傳動筒41：內凸臺結構42：外凸臺結構43：擋環槽5：密封襯套6：波浪管7：擋環8：調平件9：傳動架91：傳動法蘭92：法蘭連接件10：軸承座101：上法蘭102：下法蘭11：升降機構12：電機13：定位塊具體實施方式以下結合附圖對本實用新型的具體實施方式進行詳細說明。應當理解的是，此處所描述的具體實施方式*用于說明和解釋本實用新型，并不用于限制本實用新型。本實用新型的發明人在實驗中發現，工件在工藝盤上出現擺放位置偏移的問題是工藝盤與相應的旋轉傳動組件之間出現滑移導致的。發明人在進行過大量實驗研究后發現，在現有的半導體設備中，為了實現向工藝盤傳遞扭矩，通常采用圓柱面摩擦傳動的方式帶動，而正是該摩擦傳動方式使得傳動件的摩擦面長時間發生相對轉動，導致配合面發生摩擦磨損，進而影響了對位精度。因此，為解決上述技術問題，作為本實用新型的***個方面，提供一種半導體設備中的工藝盤組件，如圖1至3所示，工藝盤組件包括工藝盤01和工藝盤轉軸1。天津FRP半導體與電子工程塑料零件定制加工多厚與石英和陶瓷等傳統材料相比。
再進行等靜壓成型的兩步成型方式能夠得到密度更大、更均勻的***預制坯。步驟s140：將***預制坯以℃/min～℃/min的速率升溫至900℃，保溫2h～4h，進行排膠。具體地，排膠過程在真空排膠爐中進行。通過上述排膠過程能夠除去***預制坯中的粘結劑、分散劑等有機物質。步驟s150：將***預制坯與第二碳源混合加熱，使第二碳源呈液態，然后加壓至3mpa～7mpa，得到第二預制坯。具體地，第二碳源包括石墨、炭黑、石油焦、糠醛、聚碳硅烷、瀝青、酚醛樹脂及環氧樹脂中的至少一種。在本實施方式中，第二碳源與***碳源可以相同，也可以不同。具體地，步驟s150包括：將***預制坯與第二碳源在280℃～340℃下加熱1h～3h，然后抽真空1h，再加壓至3mpa～7mpa，得到第二預制坯。其中，加壓介質為氮氣或氬氣。在加壓條件下能夠使第二碳源滲入***預制坯的孔隙中，減少孔隙大小和數量。***預制坯的密度相對較低，有較多的孔隙，如不進行繼續處理，則反應燒結后會有較多、較大的游離硅，這會**降低反應燒結碳化硅的性能，而使用上述高溫壓力浸滲的方式二次補充碳源，第二碳源能夠滲入***預制坯的孔隙中，從而能夠減少預制坯的孔隙大小和數量，減小游離硅尺寸和數量，提高**終產品性能。
傳統的制備方法中將金屬元素的氧化物直接與碳化硅微粉及分散劑、粘結劑等混合，能夠使金屬元素的分布更均勻，不會出現聚集區域，對力學性能的提升效果也更好。一實施方式的碳化硅陶瓷，由上述實施方式的碳化硅陶瓷的制備方法制備得到。一實施方式的半導體零件，由上述實施方式的碳化硅陶瓷加工處理得到。上述半導體零件由反應燒結碳化硅材料制成。具體地，上述半導體零件的形狀為非標。具體地，半導體零件的形狀可以為板狀、柱狀、環狀或其他不規則形狀。在其中一個實施例中，半導體零件為吸盤底座、晶圓承載盤、半導體用機械手臂或異形件密封圈。可以理解，在其他實施例中，半導體零件不限于上述零件，還可以為其他零件。以下為具體實施例部分：實施例1本實施例的碳化硅陶瓷的制備過程具體如下：(1)以氧化鑭與碳化硅微粉的質量比為∶100，得到氯化鑭與碳化硅微粉的質量比為∶100，然后將氯化鑭溶解在水和酒精的混合溶液中，溶解完全后加入***分散劑丙烯酸銨，然后加入粒徑為μm的碳化硅微粉，攪拌均勻，得到***漿料。在冰浴條件下加入與***漿料的質量比為，攪拌均勻得第二漿料。將第二漿料在閉式噴霧塔中噴霧，得到表面覆蓋有氧化鑭的碳化硅顆粒。耐熱聚合物可用作耐高溫薄膜絕緣材料、耐高溫纖維、耐高溫涂料、 耐高溫粘合劑等。
為提高上述包括工藝盤轉軸1、驅動襯套2和驅動軸3在內的傳動結構的密閉性，推薦地，工藝盤組件還包括傳動筒4，驅動軸3和驅動襯套2設置在傳動筒4內，且驅動軸3背離工藝盤轉軸1的一端與傳動筒4固定連接，傳動筒4用于帶動驅動軸3轉動。需要說明的是，上述傳動筒4的方案即為前面所述的“驅動軸體部320與其它在軸承中固定的轉軸結構固定連接”的方案，如圖3、圖13所示，傳動筒4的外壁上可以包括外凸臺結構42，外凸臺結構42環繞設置在傳動筒4的外壁上，在實際使用中，外凸臺結構42的上下兩面(這里的上下是指圖中的上下關系)分別用于與滾針軸承連接，以實現軸向定位；外凸臺結構42的外側面用于與深溝球軸承的內圈連接，從而實現對傳動筒4軸線角度的固定，減小傳動筒4的軸線在其轉動過程中的徑向跳動。在本實用新型的實施例中，采用傳動筒4代替驅動軸3與軸承接觸，并將驅動軸3和驅動襯套2設置在傳動筒4內部，從而在保證驅動軸3的正常傳動功能的同時，提高了傳動結構的密閉性，避免了潤滑液等物質進入包括驅動軸3和驅動襯套2在內的傳動結構對其造成腐蝕，保證了傳動結構的精度。本實用新型對如何定位傳動筒4及與其接觸的軸承不做具體限定，例如，可選地，如圖2至3所示。生產過程保證產品的質量。北京PC半導體與電子工程塑料零件定制加工絕熱
降低材料摩擦及磨損。天津制造半導體與電子工程塑料零件定制加工要求
本實用新型涉及半導體設備領域，具體地，涉及一種半導體設備中的工藝盤組件，以及一種包括該工藝盤組件的半導體設備。背景技術：半導體設備通常由工藝腔和設置在工藝腔內的工藝盤組成，工藝盤用于承載待加工的工件，工件與工藝腔中通入的工藝氣體發生化學反應或者由工藝氣體形成沉積物沉積在工件表面，完成晶片的外延等半導體工藝。為了保證工藝盤上熱量的均勻性，通常采用電機等設備驅動工藝盤旋轉，目前的工藝盤驅動機構通常包括滑動軸、襯套和石英轉軸。其中，石英轉軸用于驅動工藝盤旋轉，襯套套設在滑動軸上，石英轉軸套設在襯套上，且滑動軸、襯套和石英轉軸三者軸線重合，襯套通過貼合面之間的摩擦作用將滑動軸的扭矩傳遞至石英轉軸上。然而，基于這種結構目前的半導體設備經常出現工件放偏、工藝效果不佳、工藝盤旋轉卡頓等問題。技術實現要素：本實用新型旨在提供一種用于半導體設備的工藝盤組件，該工藝盤組件能夠解決上述技術問題中的至少一者。為實現上述目的，作為本實用新型的***個方面，提供一種半導體設備中的工藝盤組件，包括工藝盤和工藝盤轉軸，所述工藝盤轉軸用于驅動所述工藝盤旋轉，所述工藝盤組件還包括驅動軸和驅動襯套。天津制造半導體與電子工程塑料零件定制加工要求