晶圓減薄砂輪合作

在全球市場競爭日益激烈的背景下，江蘇優普納科技有限公司始終堅持以客戶為中心，不斷提升產品質量和服務水平。我們的襯底粗磨減薄砂輪已經在國內外的半導體制造企業中得到了廣泛應用和認可。未來，我們將繼續加大研發投入和技術創新力度，為客戶提供更加品質高、高效的砂輪產品和服務，推動半導體行業的持續發展和進步。同時，我們也期待與更多的合作伙伴攜手共進，共同開創半導體制造領域的美好未來。江蘇優普納科技有限公司專業生產砂輪，品質有保證，歡迎您的隨時致電咨詢，為您提供滿意的產品以及方案。優普納砂輪的低磨耗比優勢，不僅降低客戶成本，還保證加工后的晶圓表面質量，是高性價比的國產化替代方案。晶圓減薄砂輪合作

江蘇優普納科技有限公司的碳化硅晶圓減薄砂輪，以其優越的**低損耗特性**，為客戶節省了大量的成本。其獨特的多孔顯微組織調控技術，使得砂輪在高磨削效率的同時，磨耗比極低。在實際應用中，6吋SiC線割片的磨耗比只為15%，而8吋SiC線割片的磨耗比也只為35%。這意味著在長時間的加工過程中，砂輪的磨損極小，使用壽命更長。低損耗不只體現在砂輪本身的使用壽命上，還體現在加工后的晶圓表面質量上，損傷極小，進一步提升了產品的性價比，助力優普納在國產化替代進程中占據優勢。氮化鎵砂輪品牌在6吋和8吋SiC線割片的加工中，優普納砂輪均能保持穩定性能，無論是粗磨還是精磨，達到行業更高加工標準。

江蘇優普納科技有限公司的碳化硅減薄砂輪，采用自主研發的強度高微晶增韌陶瓷結合劑及多孔砂輪顯微組織調控技術，打破國外技術壟斷，實現國產化替代。相比進口砂輪，產品磨耗比降低至15%-35%（粗磨）及100%-300%（精磨），表面粗糙度Ra≤3nm，TTV精度達2μm以內，適配東京精密、DISCO等國際主流設備。例如，在8吋SiC線割片加工中，砂輪磨耗比只為30%（粗磨）和200%（精磨），效率提升20%以上，明顯降低客戶綜合成本。歡迎您的隨時咨詢~

襯底粗磨減薄砂輪的應用工序主要包括背面減薄和正面磨削的粗磨加工。在背面減薄過程中，砂輪需要與晶圓保持恒定的接觸面積，以確保磨削力的穩定，避免晶圓出現破片或亞表面損傷。江蘇優普納科技有限公司的襯底粗磨減薄砂輪經過精心設計和制造，具有優異的端面跳動和外圓跳動控制，能夠在高轉速下保持穩定的磨削性能。此外，我們的砂輪還具有良好的散熱性能，能夠有效降低磨削過程中產生的熱量，保護晶圓不受熱損傷。歡迎您的隨時致電咨詢~通過持續的技術研發和工藝改進 優普納碳化硅晶圓減薄砂輪在性能上不斷突破 為國產半導體加工設備及耗材力量。

針對第三代半導體材料（SiC/GaN）的減薄需求，優普納砂輪適配6吋、8吋晶圓，滿足襯底片粗磨、精磨全流程。以東京精密HRG200X設備為例，6吋SiC線割片采用2000#砂輪粗磨，磨耗比只15%，Ra≤30nm；精磨使用30000#砂輪，磨耗比120%，Ra≤3nm，TTV穩定在2μm以下。DISCO設備案例中，8吋晶圓精磨后TTV≤2μm，適配性強，可替代日本、德國進口產品。江蘇優普納科技有限公司專業生產砂輪，品質有保證，歡迎您的隨時致電咨詢，為您提供滿意的產品以及方案。砂輪適配國內外主流減薄設備，根據不同材料和尺寸定制 滿足多元化加工需求 推動國產半導體產業自主可控發展。高性能砂輪使用方法

優普納碳化硅晶圓減薄砂輪，以高性能陶瓷結合劑和“Dmix+”制程工藝為基礎，不斷優化產品性能。晶圓減薄砂輪合作

在第三代半導體材料加工領域，江蘇優普納科技有限公司的碳化硅晶圓減薄砂輪憑借其高精度加工能力脫穎而出。采用專研的強度高微晶增韌陶瓷結合劑，砂輪在磨削過程中展現出優越的穩定性，能夠有效減少振動，確保加工后的晶圓表面粗糙度極低。無論是6吋還是8吋的SiC線割片，使用優普納砂輪加工后，表面粗糙度Ra值均能達到納米級別，總厚度變化TTV控制在微米級別以內。這種高精度的加工能力，不只滿足了半導體制造的需求，也為優普納在國產碳化硅減薄砂輪市場奠定了堅實的基礎，助力其品牌形象進一步鞏固。晶圓減薄砂輪合作