進一步提高其工作頻率仍然受到基區和集電區少子儲存效應的影響。70年代中期發展起來的單極型MOS功率場效應晶體管， 由于不受少子儲存效應的限制，能夠在兆赫以上的頻率下工作。這種器件的導通電流具有負溫度特性，不易出現熱激發二次擊穿現象；需要擴大電流容量時，器件并聯簡單，且具有較好的線性輸出特性和較小的驅動功率；在制造工藝上便于大規模集成。但它的通態壓降較大，制造時對材料和器件工藝的一致性要求較高。到80 年代中、后期電流容量jin達數十安，阻斷電壓近千伏。進一步提高其工作頻率仍然受到基區和集電區少子儲存效應的影響。無錫環保電子元器件網上價格
電力電子器件正沿著大功率化、高頻化、集成化的方向發展。80年代晶閘管的電流容量已達6000安，阻斷電壓高達6500伏。但這類器件工作頻率較低。提高其工作頻率，取決于器件關斷期間如何加快基區少數載流子(簡稱少子)的復合速度和經門極抽取更多的載流子。降低少子壽命雖能有效地縮短關斷電流的過程，卻導致器件導通期正向壓降的增加。因此必須兼顧轉換速度和器件通態功率損耗的要求。80年代這類器件的*高工作頻率在 10千赫以下。雙極型大功率晶體管可以在100千赫頻率下工作，其控制電流容量已達數百安，阻斷電壓1千多伏,但維持通態比其他功率可控器件需要更大的基極驅動電流。由于存在熱激發二次擊穿現象，限制它的抗浪涌能力。常州電子元器件價格實惠按照電力電子器件能夠被控制電路信號所控制的程度分類。
各種電力電子器件均具有導通和阻斷兩種工作特性。功率二極管是二端(陰極和陽極)器件，其器件電流由伏安特性決定，除了改變加在二端間的電壓外，無法控制其陽極電流，故稱不可控器件。普通晶閘管是三端器件，其門極信號能控制元件的導通，但不能控制其關斷，稱半控型器件。可關斷晶閘管、功率晶體管等器件，其門極信號既能控制器件的導通，又能控制其關斷，稱全控型器件。后兩類器件控制靈活，電路簡單，開關速度快，廣fan應用于整流、逆變、斬波電路中，是電動機調速、發電機勵磁、感應加熱、電鍍、電解電源、直接輸電等電力電子裝置中的核xin部件。這些器件構成裝置不jin體積小、工作可靠，而且節能效果十分明顯(一般可節電10%～40%)。
事實表明，無論是電力、機械、礦冶、交通、石油、能源、化工、輕紡等傳統產業，還是通信、激光、機器人、環保、原子能、航天等高技術產業，都迫切需要高質量、高效率的電能。而電力電子正是將各種一次能源高效率地變為人們所需的電能，實現節能環保和提高人民生活質量的重要手段，它已經成為弱電控制與強電運行之間、信息技術與先進制造技術之間、傳統產業實現自動化、智能化改造和興建高科技產業之間不可缺少的重要橋梁。而新型電力電子器件的出現，總是帶來一場電力電子技術的**。電力電子器件就好像現代電力電子裝置的心臟，它對裝置的總價值，尺寸、重量、動態性能，過載能力，耐用性及可靠性等，起著十分重要的作用。單個電力電子器件能承受的正、反向電壓是一定的，能通過的電流大小也是一定的。
80年代初期出現的 MOS功率場效應晶體管和功率集成電路的工作頻率達到兆赫級。集成電路的技術促進了器件的小型化和功能化。這些新成就為發展高頻電力電子技術提供了條件，推動電力電子裝置朝著智能化、高頻化的方向發展。 80年代發展起來的靜電感應晶閘管、隔離柵晶體管，以及各種組合器件，綜合了晶閘管、 MOS功率場效應晶體管和功率晶體管各自的優點，在性能上又有新的發展。例如隔離柵晶體管,既具有MOS功率場效應晶體管的柵控特性，又具有雙極型功率晶體管的電流傳導性能，它容許的電流密度比雙極型功率晶體管高幾倍。靜電感應晶閘管保存了晶閘管導通壓降低的優點，結構上避免了一般晶閘管在門極觸發時必須在門極周圍先導通然后逐步橫向擴展的過程，所以比一般晶閘管有更高的開關速度，而且容許的結溫升也比普通晶閘管高。這些新器件，在更高的頻率范圍內滿足了電力電子技術的要求。電力電子器件的優缺點。錫山區標準電子元器件價格
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