濱湖區正規電子元件銷售推薦

來源: 發布時間:2020-08-20

80年代初期出現的 MOS功率場效應晶體管和功率集成電路的工作頻率達到兆赫級。集成電路的技術促進了器件的小型化和功能化。這些新成就為發展高頻電力電子技術提供了條件,推動電力電子裝置朝著智能化、高頻化的方向發展。 80年代發展起來的靜電感應晶閘管、隔離柵晶體管,以及各種組合器件,綜合了晶閘管、 MOS功率場效應晶體管和功率晶體管各自的優點,在性能上又有新的發展。例如隔離柵晶體管,既具有MOS功率場效應晶體管的柵控特性,又具有雙極型功率晶體管的電流傳導性能,它容許的電流密度比雙極型功率晶體管高幾倍。靜電感應晶閘管保存了晶閘管導通壓降低的優點,結構上避免了一般晶閘管在門極觸發時必須在門極周圍先導通然后逐步橫向擴展的過程,所以比一般晶閘管有更高的開關速度,而且容許的結溫升也比普通晶閘管高。這些新器件,在更高的頻率范圍內滿足了電力電子技術的要求。功率器件幾乎用于所有的電子制造業。濱湖區正規電子元件銷售推薦

按照電力電子器件能夠被控制電路信號所控制的程度分類: 1.半控型器件,例如晶閘管; 2.全控型器件,例如GTO(門極可關斷晶閘管)、GTR(電力晶體管),Power MOSFET(電力場效應晶體管)、IGBT(絕緣柵雙極晶體管); 3.不可控器件,例如電力二極管。 按照驅動電路加在電力電子器件控制端和公共端之間信號的性質分類: 1.電壓驅動型器件,例如IGBT、Power MOSFET、SITH(靜電感應晶閘管); 2.電流驅動型器件,例如晶閘管、GTO、GTR。 根據驅動電路加在電力電子器件控制端和公共端之間的有效信號波形分類: 1.脈沖觸發型,例如晶閘管、GTO; 2.電子控制型,例如GTR、PowerMOSFET、IGBT。 按照電力電子器件內部電子和空穴兩種載流子參與導電的情況分類: 1.雙極型器件,例如電力二極管、晶閘管、GTO、GTR; 2.單極型器件,例如PowerMOSFET、SIT、肖特基勢壘二極管; 3.復合型器件,例如MCT(MOS控制晶閘管)、IGBT、SITH和IGCT。是什么電子元件銷售均價電力電子器件正沿著大功率化、高頻化、集成化的方向發展。

功率器件幾乎用于所有的電子制造業,包括計算機領域的筆記本、PC、服務器、顯示器以及各種外設;網絡通信領域的手機、電話以及其它各種終端和局端設備;消費電子領域的傳統黑白家電和各種數碼產品;工業控制類中的工業PC、各類儀器儀表和各類控制設備等。 除了保證這些設備的正常運行以外,功率器件還能起到有效的節能作用。由于電子產品的需求以及能效要求的不斷提高,中國功率器件市場一直保持較快的發展速度。 國家統計局數據顯示,2010年中國功率器件行業共有規模以上企業498家,全行業實現銷售收入1015.11億元,同比增長6.86%;實現利潤總額85.27億元,同比增長47.54%。從企業經濟類型來看,三資企業數量*多,其企業數量占行業數量的47.19%。從企業數量、銷售收入以及資產規模來看,江蘇、廣東和浙江等省所占的份額居多

從60年代到70年代初期,以半控型普通晶閘管為dai表的電力電子器件,主要用于相控電路。這些電路十分廣fan地用在電解、電鍍、直流電機傳動、發電機勵磁等整流裝置中,與傳統的汞弧整流裝置相比,不jin體積小、工作可靠,而且取得了十分明顯的節能效果(一般可節電10~40%,從中國的實際看,因風機和泵類負載約占全國用電量的1/3,若采用交流電動機調速傳動, 可平均節電20%以上,每年可節電400億千瓦時),因此電力電子技術的發展也越來越受到人們的重視。70年代中期出現的全控型可關斷晶閘管和功率晶體管,開關速度快,控制簡單,逆導可關斷晶閘管更兼容了可關斷晶閘管和快速整流二極管的功能。它們把電力電子技術的應用推進到了以逆變、斬波為中心內容的新領域。這些器件已普遍應用于變頻調速、開關電源、靜止變頻等電力電子裝置中。電子元件是電子電路中的基本元素。

電力二極管:結構和原理簡單,工作可靠; 晶閘管:承受電壓和電流容量在所有器件中*高 IGBT:開關速度高,開關損耗小,具有耐脈沖電流沖擊的能力,通態壓降較低,輸入阻抗高,為電壓驅動,驅動功率小;缺點:開關速度低于電力MOSFET,電壓,電流容量不及GTO GTR:耐壓高,電流大,開關特性好,通流能力強,飽和壓降低;缺點:開關速度低,為電流驅動,所需驅動功率大,驅動電路復雜,存在二次擊穿問題 GTO:電壓、電流容量大,適用于大功率場合,具有電導調制效應,其通流能力很強;缺點:電流關斷增益很小,關斷時門極負脈沖電流大,開關速度低,驅動功率大,驅動電路復雜,開關頻率低 電力MOSFET:開關速度快,輸入阻抗高,熱穩定性好,所需驅動功率小且驅動電路簡單,工作頻率高,不存在二次擊穿問題;缺點:電流容量小,耐壓低,一般只適用于功率不超過10kW的電力電子裝置。 制約因素:耐壓,電流容量,開關的速度80年代初期出現的 MOS功率場效應晶體管和功率集成電路的工作頻率達到兆赫級。質量電子元件銷售值得推薦

電力電子器件的優缺點。濱湖區正規電子元件銷售推薦

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