1．判定柵極G將萬用表撥至R×1k檔分別測量三個管腳之間的電阻。若發現某腳與其字兩腳的電阻均呈無窮大，并且交換表筆后仍為無窮大，則證明此腳為G極，因為它和另外兩個管腳是絕緣的。2．判定源極S、漏極D由圖1可見，在源-漏之間有一個PN結，因此根據PN結正、反向電阻存在差異，可識別S極與D極。用交換表筆法測兩次電阻，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻，此時黑表筆的是S極，紅表筆接D極。3．測量漏-源通態電阻RDS（on）將G-S極短路，選擇萬用表的R×1檔，黑表筆接S極，紅表筆接D極，阻值應為幾歐至十幾歐。由于測試條件不同，測出的RDS（on）值比手冊中給出的典型值要高一些。例如用500型萬用表R×1檔實測一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=，大于（典型值）。4．檢查跨導將萬用表置于R×1k（或R×100）檔，紅表筆接S極，黑表筆接D極，手持螺絲刀去碰觸柵極，表針應有明顯偏轉，偏轉愈大，管子的跨導愈高。注意事項：（1）VMOS管亦分N溝道管與P溝道管，但絕大多數產品屬于N溝道管。對于P溝道管，測量時應交換表筆的位置。（2）有少數VMOS管在G-S之間并有保護二極管，本檢測方法中的1、2項不再適用。（3）目前市場上還有一種VMOS管功率模塊。整流變壓器、調功機（純電感線圈）、電爐變壓器一次側、升磁/退磁調節、直流電機控制。單相整流可控硅代理
本實用新型涉及一種單相交流固態調壓器。背景技術：單相交流固態調壓器是集同步變壓器、相位檢測電路、移相觸發電路和輸出可控硅于一體，當改變控制電壓的大小，就可改變輸出可控硅的觸發相角，即實現單相交流電的調壓。根據輸出可控硅器件不同分一只雙向可控硅的普通型，兩只單向可控硅反并聯的增強型和一只單向可控硅的半波型等三類。按單相交流負載的額定電壓分220V和380V兩類。主要用于工業電爐、電熱烘箱、燈光照明、變壓器原邊初級調壓、風機水泵、力矩電機等設備中進行調溫、調光、調壓、調速的控制。現有的單相交流固態調壓器自由調節輸出負載的能力較差，無法滿足電氣化設備的發展需求。技術實現要素：本實用新型的目的在于克服現有技術中存在的上述不足，而提供一種結構設計合理，自由調節輸出負載的能力較好的單相交流固態調壓器。本實用新型解決上述問題所采用的技術方案是：一種單相交流固態調壓器，其特征在于：其電路結構如下：整流橋的其中兩個腳連接交流電源的兩端，整流橋的其余兩腳分別連接電阻R4的一端和穩壓二極管的正極，穩壓二極管的正極連接電容C4的一端和變壓器B2輸入端2。山東供應雙向可控硅可控硅調整器可用380V電源頻率為50HZ/60HZ電**殊電壓要求可定制。
控制極與陰極之間是一個P-N結，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大。可是控制極二極管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態的，可以有比較大的電流通過，因此，有時測得控制極反向電阻比較小，并不能說明控制極特性不好。另外，在測量控制極正反向電阻時，萬用表應放在R*10或R*1擋，防止電壓過高控制極反向擊穿。若測得元件陰陽極正反向已短路，或陽極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路，或控制極與陰極斷路，說明元件已損壞。可控硅一經觸發導通后，由于循環反饋的原因，流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1，而是經過BG1、BG2放大后的電流（β1*β2*Ib1）這一電流遠大于Ib1，足以保持BG1的持續導通。此時觸發信號即使消失，可控硅仍保持導通狀態只有斷開電源Ea或降低Ea，使BG1、BG2中的集電極電流小于維持導通的最小值時，可控硅方可關斷。當然，如果Ea極性反接，BG1、BG2由于受到反向電壓作用將處于截止狀態。這時，即使輸入觸發信號，可控硅也不能工作。反過來，Ea接成正向，而觸動發信號是負的，可控硅也不能導通。另外，如果不加觸發信號，而正向陽極電壓大到超過一定值時，可控硅也會導通。
自由調節輸出負載的能力較好。附圖說明圖1是本實用新型實施例相交流固態調壓器的電路示意圖。具體實施方式下面結合附圖并通過實施例對本實用新型作進一步的詳細說明，以下實施例是對本實用新型的解釋而本實用新型并不局限于以下實施例。參見圖1，本實施例一種單相交流固態調壓器，其電路結構如下：整流橋的其中兩個腳連接交流電源的兩端，整流橋的其余兩腳分別連接電阻R4的一端和穩壓二極管的正極，穩壓二極管的正極連接電容C4的一端和變壓器B2輸入端2，穩壓二極管的負極連接電阻R4的另一端、光耦OC的腳4、NPN三極管T1的集電極、單結晶體管T2的發射極b2、單向可控硅SCR1的A極、單向可控硅SCR2的K極以及電源輸出端1，所述光耦OC的腳1連接輸入控制端的正極，光耦OC的腳2經由電阻R5連接輸入控制端的負極，光耦OC的腳3連接NPN三極管T1的基極，NPN三極管T1的發射極連接電阻R6的一端，電阻R6的另一端連接電容C4的另一端以及單結晶體管T2的發射極b1，單結晶體管T2的發射極b1連接變壓器B1的輸入端1，變壓器B1的輸入端2連接變壓器B2輸入端1，變壓器B1的輸出端1連接電源輸出端1，變壓器B2的輸出端2連接電源輸出端2，所述單向可控硅SCR1的G極連接變壓器B2的輸出端1。嚴格控制貯存時間ts并恰當調整整機電路，就可以降低對hFE參數的依賴程度。
**交流電機調速器、逆變器使用。例如美國IR公司生產的IRFT001型模塊，內部有N溝道、P溝道管各三只，構成三相橋式結構。（4）現在市售VNF系列（N溝道）產品，是美國Supertex公司生產的超高頻功率場效應管，其比較高工作頻率fp=120MHz，IDSM=1A，PDM=30W，共源小信號低頻跨導gm=2000μS。適用于高速開關電路和廣播、通信設備中。（5）使用VMOS管時必須加合適的散熱器后。以VNF306為例，該管子加裝140×140×4（mm）的散熱器后，比較大功率才能達到30W。（6）多管并聯后，由于極間電容和分布電容相應增加，使放大器的高頻特性變壞，通過反饋容易引起放大器的高頻寄生振蕩。為此，并聯復合管管子一般不超過4個，而且在每管基極或柵極上串接防寄生振蕩電阻。單向可控硅、雙向可控硅檢測可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽極A、陰極K、控制極G三個引出腳。雙向可控硅有***陽極A1（T1），第二陽極A2（T2）、控制極G三個引出腳。只有當單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓，同時控制極G與陰極間加上所需的正向觸發電壓時，方可被觸發導通。此時A、K間呈低阻導通狀態，陽極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導通后，控制器G即使失去觸發電壓。調整器主電路和控制電路一體化結構，體積小，重量輕，使用、維護十分方便。單相整流可控硅代理
如果把二極管換成可控硅，就可以構成可控整流電路。單相整流可控硅代理
*運行地點無導電及性塵埃，無腐蝕金屬及破壞絕緣的氣體或蒸汽。*無劇烈震動和沖擊。■安裝使用須知:*使用前認真閱讀本說明書，嚴格按要求接線使用。*接線時要嚴格保持主電路電源RST與觸發板電源、控制信號相位一致。*主電路與控制電路配線時務必不要束在一起。*要避免環境溫度超過75℃，盤內溫度超過75℃時，請充分考慮盤內通風問題。*安裝時建議各方均留出20mm的空間。*請采用，電壓電流反饋及電位器連接導線請分別用絞和線連接。*關于可控硅輸出電壓、電流的測量請使用測量非正弦量“有效值”的儀表。如：電磁式（動鐵式）或電動勢電壓表、電流表。■技術規格:輸入額定電壓3ΦAC380V±15%,50Hz控制電源≤20VA輸出額定電壓輸入電壓的0～95%負載特性電阻性負載、電感性負載、變壓器一次側主要控制特性控制信號0．DC4～20mA輸入阻抗100Ω1．DC0～10mA輸入阻抗100Ω2．DC0～5V輸入阻抗>20KΩ3．DC0～10V輸入阻抗>20KΩ4．其它信號（用戶訂貨時提出）軟起動時間1～10s，出廠時整定在2s故障報警LED顯示，報警觸點：AC250V/3A，阻性(故障時閉合)斜率設定范圍0～***下點設定范圍0～***保護斷相保護輸入電源斷相時保護過流保護輸出電流≥。單相整流可控硅代理
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